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深紫外激光光谱仪通过验收 深入研究半导体光学特性

导读: 近日,中科院计划财务局组织专家对半导体所承担的国家重大科研装备研制项目“深紫外固态激光源前沿装备研制项目”的子项目“深紫外激光光致发光光谱仪”进行了验收。

  近日,中科院计划财务局组织专家对半导体所承担的国家重大科研装备研制项目“深紫外固态激光源前沿装备研制项目”的子项目“深紫外激光光致发光光谱仪”进行了验收。中科院院计划财务局局长孔力、副局长曹凝,科研条件处处长杨为进等领导莅临指导工作,深紫外总体部总经理詹文山、处长任俊和项目主管梁建宁出席了会议。专家组成员包括北京大学秦国刚院士、中科院监审局袁东主任、北京大学沈波教授、清华大学葛惟昆教授、中科院物理研究所汪力教授,北京工业大学沈光地教授、北京中科科仪股份有限公司李奇志研究员、中科院微电子研究所刘明研究员、北京航空航天大学许怀哲教授。项目承担单位半导体所所长李树深院士、副所长祝宁华、项目负责人王占国院士、科技处处长郑婉华等领导以及合作单位的代表和专家共20余人参加项目验收会。

  孔力局长就国家重大科研装备“深紫外固态激光光源前沿装备研制项目”介绍了项目立项的背景和其它子项目验收的一些情况,并就计划财务局近期关于仪器研制项目的一些情况做了说明。

  深紫外激光光致发光光谱仪具有最稳态发射光谱和时间分辨光谱测量功能,将用于AlN、BeZnO、BN、金刚石等超宽带隙半导体材料以及其它发光波长在深紫外区材料物理研究和光学性质表征。该光致发光光谱仪的应用,将突破目前无法对超宽带半导体材料的光学性质进行深入研究的窘境,澄清上述材料中尚未解决的诸多基本物理问题,为超宽带隙半导体材料的材料物理研究做出贡献,进而对尚处于探索阶段的材料生长研究起到有力的推动作用,使得我国在超宽禁带半导体材料研究领域走在国际前列。

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