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恩耐推出pearl 878.6nm半导体激光器

导读: 关于878.6nm的半导体激光器用于泵浦Nd:YVO4晶体的研究和测试近几年已非常成熟,恩耐公司于2011年向市场推出878.6nm半导体激光器,得到了非常好的反应。

  关于878.6 nm的半导体激光器用于泵浦Nd:YVO4晶体的研究和测试近几年已非常成熟,恩耐公司于2011年向市场推出878.6 nm半导体激光器,得到了非常好的反应。目前北美和欧洲的知名固体激光器公司已大规模采用878.6 nm作为标准泵浦源,用于泵浦固体激光器。与传统的808 nm泵浦相比,恩耐公司的878.6 nm激光器具有如下特点:

878.6nm激光器

图1 878.6nm激光器

  1. 量子效率高,无需TEC

  图1.是Nd:YVO4的能级图,其中A)是传统的808 nm能级跃迁图,B)是878.6 nm能级跃迁图,C)是激光发射对应的能级跃迁图。从图中可以看出,原子可吸收878.6 nm的光从基态跃迁到激发态4F3/2,直接从激发态产生激光。因此具有高的量子效率并能有效减少散热。恩耐公司的这款878.6 nm的半导体激光器在使用中无需TEC温控,仅通过环境风冷即可。国外文献报道的这款激光器的泵浦效率可达70%以上,而一般工业应用中可达50%。

A)传统808nm能级跃迁图 B)878.6nm能级跃迁图 C)受激辐射能级跃迁

图2  A)传统808nm能级跃迁图 B)878.6nm能级跃迁图 C)受激辐射能级跃迁

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