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美开发全新的激光尖峰退火技术

导读: 美国康乃尔大学(Cornell University)的研究人员开发了一种全新的退火技术,可望缩短半导体光刻的制程时间并强化影像质量。

  美国康乃尔大学(Cornell University)的研究人员开发了一种全新的退火技术,可望缩短半导体光刻的制程时间并强化影像质量。

  康乃尔大学研究人员是在半导体研究协会(Semiconductor Research Corp.)支持下开发激光尖峰退火(Laser-spike annealing, LSA)技术,已经过193nm浸入式光刻和13nm超紫外光(EUV)测试。目前,包括IBM、德州仪器(TI)、英特尔(Intel)、超微(AMD)、飞思卡尔(Freescale)和Globalfoundries等SRC的会员公司们都在考虑采用该技术。

  “这种新的激光技术为热处理带来了全新的突破,”康乃尔大学教授Christopher Ober说。“在晶圆厂中实现更快速、更高传真度的图案转印,就意味着更好的芯片性能和更低的成本。”

激光尖峰退火技术

激光尖峰退火技术

  今天,薄的光阻薄膜是透过对整个晶圆加热一分钟或更多使用热板来退火。 LSA能在毫秒级时间内发出同样的脉冲激光束,进而大幅节省时间。研究人员所做的测试还透露,藉由烘烤方法的扩散会导致线粗糙度下降,从而获得更高传真度的光刻图案影像质量。

  由SRC资助、康乃尔大学开发的激光尖峰退火系统使用了连续波激光聚焦到在线,并在硅基板上扫描,能在以毫秒级时间达到熔化温度,从而产生更高传真度的电路图案,而且比当前制程中的加热板烘烤更方法更加快速。

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