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蓝光LED发明人来访上海微系统所作学术报告

导读: 报告中中村修二教授介绍了近期其团队在基于非极化和半极化GaN的蓝/绿光激光二极管和LED方面的研究工作及成果。

  近日,应中科院上海微系统所长王曦院士邀请,蓝光LED发明人、美国加州大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)工程学院材料系中村修二(Shuji Nakamura)教授来访上海微系统所并作了学术报告。

  中村修二教授的报告题目名为“Recent Advances in Nonpolar and Semipolar GaN for Blue and Green Laser Diodes and LEDs”。报告中中村修二教授介绍了近期其团队在基于非极化和半极化GaN的蓝/绿光激光二极管和LED方面的研究工作及成果。中村修二教授及其团队利用该技术制作出超高亮度激光二极管和LED,未来在高亮度照明、激光显示等应用上具有广阔前景。

  中村修二教授的研究工作引起了上海微系统所研究人员的浓厚兴趣,报告结束后会场就中村修二教授所介绍的技术以及激光和LED技术未来的发展趋势展开深入探讨。

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