印度科学家将荧光金属有机框架材料MOF导电性提高十亿倍

2016-11-18 09:27

来源：科技部

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导读： 印度科学教育与研究院的科学家们，通过使用导电聚合物填充荧光金属有机框架MOF多孔材料，成功将MOF的导电性提高十亿倍，同时使其具有荧光性。这一成果使得MOF导电性能突破性提高，有助于MOF基光电设备的应用。

　　OFweek激光网讯：印度科学教育与研究院的科学家们，通过使用导电聚合物填充荧光金属有机框架MOF多孔材料，成功将MOF的导电性提高十亿倍，同时使其具有荧光性。这一成果使得MOF导电性能突破性提高，有助于MOF基光电设备的应用。

　　金属有机框架MOF是近二十年来被广泛关注的一种多孔材料。该材料是利用有机配体与金属离子间的金属-配体配位作用，自组装形成的超分子网络结构，因其多孔和海绵状结构而具有催化性和气体吸附性。

　　印度科学家发现，MOF的可调性和稳定性允许人为对其导电性能进行简单的控制，而这种操作在现存金属材料中难以实现，MOF这种导电可塑性将会促使新一代的电子产品的产生。该研究团队用导电聚合物聚吡咯填充了镉基MOF的孔隙，成功地将其导电性提高了十亿倍。这种兼具导电性和荧光性能的MOF材料，可制造出适合光电设备的多功能材料，可用于太阳能电池和成像设备等。

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