台湾研究人员开发出了一种提高绿光LED晶体特征的方法，采用这种方法的LED器件在20mA驱动电流下其光输出增加了43%。在台湾中坜的国立大学，Jen-Inn Chyi及其团队通过采用一种生长技术生产出更平整的InGaN/GaN界面来提高。

   在Applied Physics Letters on April 25发表的一篇论文中，该团队为一个525nm发光器的外延结构增加了一道MOCVD沉积工艺。在沉积每一层InGaN量子阱之后，将这道工艺穿插其后，这个生长阶段仅有三甲基铟和氨气通入反应室之中。

   对量子阱生长进行分析，结果表明采用了三甲基铟方案的表面粗糙度减半，在同一种样品中，富铟量子阱中常见的V型位错密度从7. 
8×108降至4.7×108cm-2。对此，Chyi团队给出的解释是添加了铟前驱体抑制了铟聚合体，并且InGaN分解有利于InN沉积。

   他们指出当采用其他生长法制作绿光LED的量子阱时，沉积工艺被中断了。测得样品的发光光谱其波长随时间的推移向蓝光靠拢。这种现象是铟的外扩散在起作用。

   相反，在三甲基铟-氨气的气体环境下生长若是被中断，却没有发现波长漂移。事实上随着时间的推移，发光密度增加了，波长峰值处更陡了。

   此外这种方法制备出的LED其驱动电流可以高达70mA。该台湾团队的结果与此数相差无几，这表明上述优势可以在更高电流条件下延展。同样的方法也适用于蓝光InGaN/GaN LED，由于器件结构中铟组分更低，光输出的效果将更加明显。

   (编辑:xiaoyao)

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