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极紫外光刻机光源技术项目通过验收

2007-01-22 11:07
PokerJoker
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   日前,中国科学院上海光学精密机械研究所“极紫外光刻机光源技术研究”项目通过验收,这标志着我国在下一代芯片工艺核心技术——极紫外光刻(EUVL)光源转换效率上已达国际先进水平。

    作为一种新型的微电子光刻技术,“极紫外光刻”以波长为13.5纳米的“软X射线”为曝光光源,最终将成为生产更细线宽集成电路的主流技术。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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