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XSiL公司将上市用于超薄硅晶圆的激光切割机

2007-07-18 11:14
潇纵
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    爱尔兰XSiL公司在“2007年国际半导体设备与材料展览会(SEMICON West 2007)”(7月16日~20日,美国旧金山)举行的同时,上市硅晶圆专用的激光切割机

  前工序处理的300mm(直径)硅晶圆的厚度一般为775μm。而后工序处理的晶圆的厚度则不同,为了实现高密度封装,近来已减薄到了100μm以下。此次XSiL公司将上市激光切割机“X300D+”的特点是:可在设备内部连续进行此前分别处理的四道工序,实现稳定生产,降低成本的目标。

通过对切断侧壁进行干式蚀刻来提高裸片强度

  四道工序分别为:(1)用以防止切割颗粒(碎屑)附着的涂装工序:在晶圆上涂布非离子类水溶性涂剂,以防止切割时产生的碎屑附着在元件上。(2)小损伤切割工序:使用高功率紫外线脉冲激光器(波长355nm)高速切割晶圆和DAF(Die Attach Film),以此来抑制芯片的缺损(崩边)及损伤。(3)洗净工序:经过涂装及切割后的晶圆利用设备下部的洗净装置进行纯水洗净,去除在最初工序中涂布的涂层及附着的碎屑。(4)无等离子的干蚀刻工序:使用面向超薄硅晶圆新开发的XeF2干蚀刻技术“MaxFlex”,对切割成片的裸片的切断侧壁进行蚀刻。通过减少给裸片造成的应力来提高强度。

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