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加利福尼亚大学与英特尔利用硅开发锁模激光器 可在40GHz下工作

2007-08-24 13:02
seele_jin
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美国加利福尼亚大学圣芭芭拉分校(UCSB)宣布“在全球率先开发出了利用混合硅倏逝波激光器原理的锁模激光器”(UCSB)。经验证可在40GHz下输出与现有激光器半导体元件相同水平的脉冲振荡。该成果已刊登在2007年9月3日出版的《Optics Express》上(论文)。

激光器由UCSB电子及计算机工程系教授John E.Bowers与英特尔的共同研究小组开发。混合硅倏逝波激光器是该小组2006年9月发表的电流激励型激光器元件,由硅类波导组成的腔体和GaAs、InP等化合物构成。这次,研究小组利用相同的元件结构,把工作性能提升到了实用水平。

锁模激光器输出的激光脉冲中,每个脉冲所含的几种波长的光的相位基本一致。脉冲光谱由间隔基本一致的波峰组成。即使脉冲宽度非常短,也有较高的稳定性,具有消光比大,波动低,噪声低的优良性质。因此被大规模用作大容量光通信的收发元件。经确认,由GaAs等化合物组成的锁模激光器最大可在500GHz下工作,通常使用的是在40GHz左右的频率下工作的激光器。

此次的锁模激光器可在40GHz下工作,脉冲宽度最小仅为4ps。消光比高达18dB,“可用于通信运营商的光通信收发和生成时钟”(该论文)。

除电流激励式激光器元件外,UCSB与英特尔的研究小组在2006年9月以后还利用硅倏逝波激光器的元件结构,开发出了增益约为13dB的光放大器,波长为1.5~1.6μm时量子效率为90%的受光元件(2007年7月发表在《materialstoday》上的另一论文):“确信该元件可以利用于大规模光集成电路”。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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