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飞思卡尔推出最高功率LDMOS射频功率晶体管 设定射频性能新标准

2007-08-07 08:38
棒棒书香
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飞思卡尔射频创新文化产生超高效率的高功率LDMOS射频功率晶体管,该设备将为设定射频性能新标准,并大大降低工业、科研和医疗等应用中的功率放大器成本。 

飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率,具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 

这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗(ISM)市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50V,与双极和MOSFET 设备相比,它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。 

以空前的功率水平实现高增益,这大大减少了所需的部件数量,与传统设计相比,部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少,使主板空间要求和制造复杂性随之降低,最终使放大器成本全面降低。  

飞思卡尔副总裁兼射频部总经理Gavin P. Woods表示:“MRF6VP11KH的推出,在效率、输出功率、可靠性和设计集成的便利性等各方面设定了新的行业基准。任何其他射频功率设备(包括LDMOS、MOSFET和双极)都无法实现这样的性能。我们将继续针对这类市场推出创新设备,让我们的客户能够攻克系统性能的新障碍。”  

这种晶体管在10-150 MHz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压 (VHV6) LDMOS(横向扩散金属氧化物晶体管)技术,是飞思卡尔承诺向工业、科技和医疗(ISM)市场提供业界最新射频功率解决方案的最新例证。该产品组合2006年6月公布的业界领先的50V VHV6 LDMOS设备系列,能够满足在频率高达450 MHz的HF、VHF和UHF上操作ISM应用所需的要求。 

ABI Research半导体研究主任Lance Wilson表示: “飞思卡尔凭借50V LDMOS已经突破RF 1 kW脉冲功率级别。MRF6VP11KH的高增益、高效率、低热阻和高输出失配可存活性都给人留下了深刻印象。” 

不仅仅是单纯的功率 

MRF6VP11KH带来的好处已经超越了它作为功能最强大的商用LDMOS RF晶体管的地位。MRF6VP11KH提供65%的排放功率,这对任何类型的射频功率设备都具有很高的价值。再加上高于27 dB 的增益,这样的效率水平能够大大减少放大器设计的复杂性、增益进阶、部件数量和电路板数量。  

需要2 kW 脉冲输出功率和45 dB增益的应用通常需要1个15 W的预驱动器、2个15 W的 驱动器和8个终端放大器,此时还要使用MOSFET或双极设备,总共包括3个进阶和11台设备。

但基于MRF6VP11KH的设计只需要3台设备。1个10 W LDMOS驱动器和2个 MRF6VP11KH 终端放大器能够产生同等的输出功率和更高的50 dB增益。 

此外,对于给定功率水平,MRF6VP11KH使用50V偏置电压能够产生更高终端阻抗,这让设备更容易与放大器电路匹配。飞思卡尔符合RoHS的气泡封装热阻测评低于0.13o C/W qJC,可提供有效的热管理,并减少散热片尺寸。MRF6VP11KH 带有集成静电放电 (ESD) 保护,因而除了在电子制造中看到的日常处理外,就不再需要特别的处理。 

LDMOS技术 

MRF6VP11KH 连接飞思卡尔2006年推出的业界领先的50V VHV6 LDMOS 设备系列。已经投入生产的其它在10-450 MHz 运行的设备包括MRF6V2010N (10 W CW、24 dB增益和62%的效率)、MRF6V2150N (150 W CW、25 dB增益、68%的效率)和MRF6V2300N (300 W CW、25.5%和68%的效率)。 

供货情况 

飞思卡尔现在已经开始提供MRF6VP11KH样品和支持的参考设计,批量生产将在2007年第四季度开始。如需了解定价信息,请联系飞思卡尔半导体、本地飞思卡尔销售办事处或飞思卡尔授权经销商。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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