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半导体激光器的原理及优点

2008-06-05 10:42
潇纵
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    半导体激光器    

    半导体激光器即为激光二极管,记作LD。它是前苏联科学家H.Γ.巴索夫于1960年发明的。半导体激光器的结构通常由P层、N层和形成双异质结的有源层构成。    

    半导体激光器的发光是利用光的受激辐射原理。处于粒子数反转分布状态的大多数电子在受到外来入射光子激励时,会同步发射光子,受激辐射的光子和入射光子不仅波长相同,而且相位、方向也相同。这样由弱的入射光激励而得到了强的发射光,起到了光放大作用。   

    但是仅仅有光放大功能还不能形成光振荡。正如电子电路中的振荡器那样,只有放大功能不能产生电振荡,还必须设计正反馈电路,使电路中所损失的功率由放大的功率得以补偿。同样,在激光器中也是借用电子电路的反馈概念,把放大了的光反馈一部分回来进一步放大,产生振荡,发出激光。这种用于实现光的放大反馈的仪器称为光学谐振腔。    

    半导体激光器的优点

    尺寸小,耦合效率高,响应速度快,波长和尺寸与光纤尺寸适配,可直接调制,相干性好。

(编辑:文静)

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