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极紫外光刻技术研发取得突破

2008-07-11 11:19
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    美国加州大学研究人员9日表示,他们在与西盟公司合作为下一代极紫外光刻(EUVL)开发激光光源的研究中发现,利用二氧化碳激光器系统可以获得极紫外光刻所需的极紫外光。他们相信,这项突破性发现有望帮助半导体工业寻找到在芯片上存储更多信息的方法,从而迅速提高电子设备的性能。


    目前,全球半导体公司均致力于极紫外光刻技术的开发,将其视为制造特征尺寸为32纳米或更小微芯片的光刻工具。尽管近来科学家在该领域取得巨大进步,但在将极紫外光刻用于低成本大规模生产上仍存在挑战。在当今半导体光刻过程中,光源从激光器中输出后直接透过掩膜作用于晶圆(wafer)。而在极紫外光刻过程中,激光器产生的极紫外光先射向掩膜版,再作用于晶圆。这种间接方式效率更低,意味着可能需要输出功率更大和更昂贵的激光器。


    加州大学机械和航空航天工程科学家马克•泰雷克领导的研究小组发现,让极紫外光刻的光源———二氧化碳激光系统输出长脉冲光,其工作性能不仅与短脉冲光的相当,而且能让系统更有效、更简单和更廉价。泰雷克说,二氧化碳激光器有两个优点,一是造价低易操作,二是能方便快捷地从输出激光转为输出极紫外光。他表示,长脉冲工作的有效性表明二氧化碳激光系统可以更廉价地制造和运行极紫外光刻设备。


    泰雷克指出,极紫外光刻具有众多潜在的应用,包括闪存卡的生产,未来闪存卡的存储密度会越来越大。他说,如果能够廉价产生存储量达200G(千兆)的闪存卡,硬盘或许将从市场上淘汰出局。他还表示,该成果有可能为获得先进光源开辟新的道路。


  (助编:xiaohu)

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