侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

ZnGeP2中基于OPA技术的高能中红外激光源

2008-07-04 11:42
络遇
关注

  挪威防务科学研究中心的研究人员在ASSP 2008报道了基于OPA技术在ZnGeP2中开发的高能中红外激光脉冲源。高能中红外激光源主要应用于光谱学和遥感技术,这种激光源主要基于非线性光学变换技术,由于ZnGeP2具备极高的非线性系数、较高的损伤阈值、中红外波段良好的透射率及高导热系数,是制备高能中红外激光源的首选材料。


  在ZGP中采用二级非线性相互作用产生3-5μm和8-12μm辐射主要有两种方法:一种方法是直接使用λ>2μm激光器泵浦ZGP级,另外一种方法是采用二级系统,先用Nd:YAG激光器泵浦非线性晶体,如KTP,再利用晶体中非线性相互作用输出泵浦ZGP级。


  使用高能光参量振荡器(OPOs)的一个问题是需要大的射束直径避免超过非线性晶体的损伤阈值,这可能导致谐振器具有较高的菲涅耳数,而且横模数量较多会引起光束质量变差。一种解决方法是主振荡功率放大器(MOPA)方式,采用低能、窄带、泵浦光泵浦主OPO,抑制高级横模,主OPO发出的信号作为主参量放大器的种子光源,在OPA中较大的泵浦直径不会使光束质量变差。


  下图所示为二级MOPA装置示意图,Nd:YAG激光器发射的脉冲通过一级MOPA(KTP MOPA)转换为2.08μm输出,KTP MOPA的输出作为第二级MOPA的泵浦光。

 


  文章通过实验分析验证了高能中红外激光脉冲源,MOPA结构在8μm处获得了良好的光束质量,实验和仿真结果表明使用较短的ZGP晶体会减少反向变换。


  (助编:xiaohu)

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号