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蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器获重大突破

2008-08-11 10:08
吃瓜天狼
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    由厦门大学、中国科学院半导体研究所和厦门三安电子有限公司组成的研究团队,近日在“蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器”课题上取得重大突破,首次实现了室温光泵条件下氮化物面发射激光器(VCSEL)的受激发射,所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。

 

    研究小组攻克了高质量增益区材料的生长、高反射介质膜分布布拉格反射镜的制作和蓝宝石衬底剥离等关键技术难题。所使用的增益区是其自主设计的、由纳米级尺寸氮化物量子阱材料构成的新型特殊结构,利用该结构容易获得光场波峰与增益区峰值高的匹配因子,使激射阈值降低了一个数量级。激光剥离后氮化物材料的表面平整度小于几个纳米,可以直接沉积反射镜,免除了减薄抛光工艺,简化了制作过程。该研究得到的激射峰值波长449.5nm、激射阈值 6.5mJ/cm2、半高宽小于0.1nm。该成果为进一步研制实用化氮化物面发射激光器奠定了基础。(编辑:小曾)

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