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高性能绿色半导体激光器

2012-06-25 08:51
夜隼008
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  氮化镓一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。

  近日,索尼和住友电气工业试制出了绿色半导体激光器,振荡波长为530nm,连续振荡时可实现100mW以上的光输出功率。2009年住友电工曾发表振荡波长为531nm的绿色半导体激光器,但当时只是脉冲振荡。此次试制品的光电转换效率为8%以上。

  此次的绿色半导体激光器是在GaN(氮化镓)基板的半极性面上生成GaN类半导体结晶制成的,活性层采用InGaN,GaN基板由住友电工制造。

  活性层使用InGaN的普通半导体激光器,其GaN结晶的极性面、即c面(0001)为生长面,以其法线方向(C轴)为生长轴,由此层叠InGaN层等。蓝光光盘使用的蓝紫色半导体激光器以及投影仪光源使用的蓝色半导体激光器利用的也是c面。但是,利用c面时,在“压电电场”影响下波长很难在蓝色波段的基础上再使波长增长到绿色波段。

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