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Cymer公司推出40W极紫外(EUV)光源

导读: Cymer公司推出了专为ASML光刻扫描仪配置的40W极紫外(EUV)光源,工作周期高达每小时刻蚀30张硅晶片,工作功率提高到55W时,性能更为优异。

  Cymer公司推出了专为ASML光刻扫描仪配置的40W极紫外(EUV)光源,工作周期高达每小时刻蚀30张硅晶片,工作功率提高到55W时,性能更为优异。

  2月底,这家总部位于圣地亚哥市的公司在SPIE先进光刻技术展览会(美国加利福尼亚州圣何塞市)上展示了其最新研究成果。展览会上,Cymer公司详细介绍了这套EUV光源的研发工作。例如,模拟结果表明,多个晶圆批次的芯片成品率超过了99.7%;该光源可以±0.2%的输出剂量稳定性连续工作超过6个小时,满足商业扫描仪的要求。公司还宣称,该光源的功率可在一个小时内逐步提高到55W,模拟的芯片成品率为97.5%。公司计划稳步提高EUV光源的功率,使其达到60W,并保持当前的工作周期和输出剂量稳定性。目前,Cymer公司正在与ASML公司洽谈收购事宜。

  今年,ASML公司将帮助芯片制造商升级现有光源,使其到2014年中期具备每小时刻蚀70张晶圆的能力。要到达这一目标,输出功率必须达到105W,而ASML扫描仪在升级之前,最初预计可提供80W的光源。

  现在,三台正在接受测试的EUV光源都配有主振荡器功率放大器(MOPA)升级和 “预脉冲”系统,可在超高功率CO2激光器轰击光源内的锡液滴靶丸之前将其尺寸扩大。

Cymer公司

Cymer公司

  扩大后的靶丸物理上可与激光更好地进行匹配,当锡被轰击时,光源腔就能产生EUV辐射;接着,反射光学系统直接将光射向需要刻蚀的硅晶圆。众所周知,使用预脉冲可提高整体的EUV光产生效率,经济效益更高。

  就EUV光刻的经济效益而言,如何保护光学薄膜免受光源等离子体腔中产生的碎片影响,是另一个关键要求。Cymer公司宣称,他们已经证实,所开发的60W光源发射出40亿个EUV脉冲后,没有出现任何早期损害机制的迹象。

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