侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

硫化钼研究获突破 激光器规模可缩小到原子量级

2013-05-27 08:42
空白小盒子
关注

  美国北卡州立大学研究人员日前表示,他们开发出了制造高质量原子量级半导体薄膜(薄膜厚度仅为单原子直径)的新技术。其材料科学和工程助理教授曹林友表示,新技术能将现有半导体技术的规模缩小到原子量级,包括激光器、发光二极管和计算机芯片等。

  据悉,研究人员研究的材料是硫化钼,它是一种价格低廉的半导体材料,电子和光学特性与目前半导体工业界所用的材料相似。然而,硫化钼又与其他半导体材料有所不同,因为它能以单原子分层生长形成单层薄膜,同时薄膜又不会失去原有的材料特性。

  在新技术中,研究人员将硫粉和氯化钼粉放置于炉内,并将温度逐步升高到850摄氏度,此时两种粉末出现蒸发(汽化)并发生化学反应形成硫化钼。而继续保持高温,硫化钼能沉积到基片上,形成薄薄的硫化钼膜。

  据曹林友表示,他们成功的关键是寻找到了新的硫化钼生长机理,即自限制生长,并通过控制高温炉中分压和蒸汽压来精确地控制硫化钼层的厚度。据介绍,分压代表悬浮在空气中的原子或分子聚集成固体沉淀到基片上的趋势;蒸汽压代表基片上的固体原子或分子汽化进入空气的趋势。为在基片上获得单层硫化钼,分压必须高于蒸汽压;分压越高,沉积到底部的硫化钼层就越多。如果分压高于在基片上形成单层薄膜的蒸汽压,但又低于形成双层薄膜的蒸汽压,那么在分压和蒸汽压之间的这种平衡能确保在单层硫化钼薄膜形成后薄膜生长自动停止,不再向多层发展。这就是“薄膜的自限制生长”。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号