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IBM与英特尔的硅光子技术研究

2013-05-21 09:39
安娜PARKER
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  Intel公司硅光子技术的突破

  英特尔始终设法在硅上形成发光元件,持续进行了6年多研究。Intel公司2005年2月宣布开发出了硅制拉曼激光元件。不过,该技术是通过射入激励光的光激励来实现振荡,似乎还未能证实能够通过电流激励来产生振荡。

  Intel硅光子技术突破

  接着,英特尔2006年9月宣布与美国加州大学圣塔芭芭拉分校(University of California, SantaBarbara,UCSB)共同开发出了混合硅激光器

  混合硅激光器

  该技术是将InP等化合物半导体激光元件与硅光导波路粘合在一起。与其他的粘合技术不同,将硅导波路用作激光元件的谐振器的一部分,因此可通过改变硅导波路的设计来决定发光波长。另外也不需要采取以高精度对齐光轴等以往存在课题的处理,所以还具有可降低制造成本的优点。目前英特尔在硅光子光源中采用的也是该激光器技术。

  不过,在硅芯片上粘合化合物半导体的技术即便在电路的CMOS工艺中也几乎没有实用化案例。英特尔也似乎并未将其当作最终解决方案,目前仍在继续进行多种探索。2010年12月,英特尔开始向拥有量子点激光器技术的东京大学纳米量子信息电子研究机构实施3年共50万美元的出资,在光源方面展开了共同研究。

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