侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

碳化硼薄膜的性能及激光法制备

2013-08-19 11:04
野明月
关注

  2、实验结果与讨论

  在激光沉积薄膜过程中,激光的特性参数对薄膜的性能有较大的影响。激光波长主要影响等离子体中离子的能量,激光功率密度则对离子能量及薄膜的生长速度都有影响。在靶材与衬底距离4 cm的条件下,分别采用200,300,400,500,700,800 mJ激光能量,在Si衬底上制备了薄膜,经红外光谱仪测试发现,样品的最高透过率随着激光能量的增加而增加,但是在800 mJ条件下制备的样品薄膜表面略有脱落,说明此时薄膜的应力较大,而且800 mJ时样品的透过率也只比700 mJ时样品的透过率大0.5 9/6左右,综合考虑,认为激光的最佳能量约为700 mJ。在此条件下,对靶材与衬底距离进行优化,发现靶材与衬底间的距离不是越小越好,也不是越大越好,而是存在一个最佳值,得到靶材与衬底的最佳距离为6 cm。衬底负偏压是激光沉积法制备薄膜时一个重要的辅助手段,一般认为负偏压对薄膜性能的影响主要表现在两个方面:一是负偏压增强了等离子体对衬底的轰击作用,凹坑微缺陷的产生增大了薄膜与衬底的接触面积,增强了结合强度;二是负偏压可改变等离子体中离子的动能和薄膜的沉积速率,离子动能的改变可能会对薄膜的结构与性能产生影响。分别在衬底偏压0,一200,一300,一400,一500,一600 V条件下在样品上制备了碳化硼薄膜,发现在此实验条件下衬底加负偏压对薄膜的光学透过率几乎无影响,这可能是因为本设备所能提供的最高负偏压一600 V不够高,还不能对等离子体产生质的改变。典型样品的具体实验参数及单面镀膜后的峰值透过率见表1。

  表1样品的实验参数

  最佳条件下的单面镀碳化硼薄膜的8i,Ge样品及未镀膜的Si,Ge衬底红外透过率对比曲线如图1所示,测试结果表明,镀碳化硼薄膜后si片和Ge片的最高透过率分别由53 和45 提高到65.8 和59.2 。另外Ge片上碳化硼薄膜看到了在10 gm左右有明显吸收,si片镀膜后10 m左右的吸收也有所增大,这与文献E8]Si片上镀膜后看到了B—c键(1085 cm )典型吸收的结果类似。

  图1 Si,Ge样品的红外透过率曲线

<上一页  1  2  3  下一页>  
声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号