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半导体所等在二维半导体异质结研究中取得新进展

2013-10-15 09:16
kumsing
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  近日,中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士生康俊,在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的研究团队中,与美国劳伦斯伯克利国家实验室(LBNL)汪林望博士研究组合作,在二维半导体异质结的基础研究中取得新进展。相关成果发表在9月30日美国化学学会主办的《纳米快报》(Nano Letters)上。

  中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士生康俊,在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的研究团队中,与美国劳伦斯伯克利国家实验室(LBNL)汪林望博士研究组合作,在二维半导体异质结的基础研究中取得新进展。相关成果发表在9月30日美国化学学会主办的《纳米快报》(Nano Letters)上。

  半导体异质结是由不同半导体材料接触形成的结构。由于构成异质结的两种半导体材料拥有不同的禁带宽度、电子亲和能、介电常数、吸收系数等物理参数,异质结将表现出许多不同于单一半导体材料的性质。在传统半导体领域,以半导体异质结为核心制作的电子器件,如光电探测器、发光二极管、太阳能电池、激光器等,往往拥有比单一半导体材料制作的同类器件更加优越的性能。

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