侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

研究人员开发新型钨基纳米激光器

2015-04-16 10:28
Hsiao Chen
关注

  在运行温度130K时,钨基纳米激光器仅仅需要27nW的抽运能量。研究人员认为,由于小尺寸和低功耗的特点,钨基纳米激光器成为光子集成电路中很好的替代品。

  华盛顿大学和斯坦福大学的研究人员开发了该器件,关键是他们在器件的光子晶体腔上加了一层钨硒膜。该研究发表于Nature (doi: 10.1038/nature14290).

  华盛顿大学的博士研究生Wu Sanfeng介绍:“这是最近的发现,这种新型半导体非常薄,而且能很高效的发光。研究人员基于这种材料的特性,正在制作晶体管、发光二极管和太阳能电池,还有钨基纳米激光器。”

  与此同时,研究人员使用另一种原子薄片作为激光增益介质,可实现多种用途,为更方便的控制激光提供了条件。

  华盛顿大学教授Arka Majumdar介绍:“在使用其他材料时,增益介质是嵌入式的,根本不可能去改变它。在我们的纳米激光器中,你可以去除或者添加这种单层结构,非常方便。”

  二硒化钨单层结构能够将直接带隙激子专门限制在腔表面的1nm范围内。这种材料还可以通过外部控制实现灵活的激光操作,例如静电导通门控和电流注入。

一层超薄的半导体膜铺在光子腔表面

  该项研究受到了美国空军科学研究局,海军研究局,美国国家科学基金,美国能源部,欧洲委员会以及华盛顿的清洁能源研究所的资助。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号