侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

新加坡AMF发布1550 nm波长激光雷达传感器

2018-11-21 10:36
来源: 微迷网

新加坡AMF发布1550 nm波长激光雷达传感器

据麦姆斯咨询报道,新加坡Advanced Micro Foundry(AMF)近日宣布推出基于硅基锗雪崩光电探测器阵列(Ge-on-Si APD)技术的1550 nm波长激光雷达(LiDAR)传感器。该公司称其LiDAR传感器与传统固态传感器相比具有卓越的性能和成本优势。据报道,传统固态传感器通常由成本昂贵的材料制造,并且由于905nm短波长激光低功率的限制,而面临探测距离短的问题。

过去二十年来,高增益、低噪声硅基APD和硅光电倍增管(SiPM)已经开发并商业化用于可见光波段。然而,由于透镜会将激光聚焦到眼睛的视网膜上而引起潜在危险,因此即使在相对较低的功率下,905nm及更短波长的准直激光束对行人也是有风险的。

据AMF称,因此,最大允许暴露(MPE)方面的安全要求,限制了LiDAR在这些波长下的探测范围和发射器能量。相反,在1550nm波段,大部分光在到达视网膜之前就会被眼球的透明部分吸收,这降低了近红外(NIR)LiDAR的MPE要求。宽容度更大的MPE吸引了行业对1550nm 波长LiDAR及其APD接收组件的关注。

目前,最先进的市售1550nm波长APD主要是III-V族APD,它们对CMOS不兼容且成本较高。早在2013年,AMF就报道了310-GHz增益带宽产品SACM Ge APD。不过,在LiDAR应用中,接收器仅探测来自目标的弱散射光,因而要求APD具有高灵敏度和大探测范围,以增强散射光捕获能力和更好的信噪比。

最近,AMF针对LiDAR应用开发了1550nm波段运行的Ge-on-Si APD阵列。其单个APD像素在90%击穿电压的正常工作电压下显示出3.2A/W的响应度,暗电流为2.2 mA,击穿热系数为0.029 V/℃,3 dB带宽为9 GHz。5 x 5 APD阵列上的25个像素显示出了高一致性,响应度变化小于5%,带宽高达1GHz,非常适用于LiDAR应用。

面向下一代光学产品的创新技术平台

AMF专注于广泛应用的新技术平台的原型设计服务和批量生产。AMF合作伙伴可以利用这些世界级的平台来开发他们的产品。AMF服务包括定制平台开发,200mm晶圆批量生产,集成MEMS光学组件,封装和光电测试。

新加坡AMF发布1550 nm波长激光雷达传感器

AMF还通过即用型IP设计模块为关键构建模块提供设计支持。这些IP模块可以显着缩短客户产品上市时间。

声明: 本文系OFweek根据授权转载自其它媒体或授权刊载,目的在于信息传递,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责,如有新闻稿件和图片作品的内容、版权以及其它问题的,请联系我们。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号