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DKDP晶体长籽晶快速生长技术获进展 将用于高功率激光装置

2020-03-03 10:21
光技术求索
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日前,中科院上海光机所发文称,该所于近期出槽一块尺寸为470mm×495mm×560mm(长×宽×柱面高)长籽晶快速生长的大口径DKDP晶体,这是国际上首次获得的大口径长籽晶DKDP晶体,标志着长籽晶快速生长DKDP晶体技术得到成功验证。相关晶体制备技术已经申请了专利(公开号:CN 109943881A,CN110055579A)。

研究团队采用长籽晶点晶技术(籽晶长度320mm),在自主研发的1300型连续过滤晶体生长槽中经过三个多月生长成功出槽。初步测试结果表明,晶体毛坯内部透明度好,可以满足无锥柱交界面的大口径二类混频元件切割要求。

长籽晶快速生长技术是上海光机所在第一代DKDP晶体快速生长技术(双锥生长技术)基础上的又一突破。它耦合了传统生长技术与快速生长技术的优点,具有传统生长技术无锥柱交界面、快速生长技术生长周期短的优点,又兼具切片效率高的特点,为国际高功率激光装置建设所需DKDP晶体生长提供了新方案。

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连续过滤长籽晶快速生长技术制备的DKDP晶体
(晶体尺寸470mm×495mm×560mm,籽晶长度320mm)

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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