InP
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14.1亿元，重庆将建设InP、GaAs激光芯片生产基地
7月30日，重庆两江新区举行重大项目集中开（竣）工活动。据悉，开竣工项目76个、总投资768亿元。其中，开工项目39个、总投资413亿元；竣工项目37个、总投资355亿元。开工的39个项目包括：基础设
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荷兰校企签署战略合作，共同推进InP光子集成技术发展
位于荷兰的光子集成电路(PIC)晶圆代工厂商Smart Photonics和荷兰埃因霍温理工大学(“TU/e”)宣布，双方共同签署了一项长期战略合作协议，进一步加强磷化铟(InP)光子集成技术的发展。
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