国家科技支撑计划2014年备选项目（激光）征集指南

2013-04-19 14:38

来源： OFweek激光网

　　4、指南申报要求

　　4.1.实施年限

　　按照项目所属分类，前沿技术类为3-5年，应用开发与集成示范类为3年。

　　4.2.经费额度

　　国拨经费控制额度参见每个研究方向的具体要求。

　　4.3.申报说明

　　各申报单位原则上按指南内容三级标题的研究方向进行项目申报。如果指南内容中无三级标题的研究方向可按照二级标题的研究方向进行项目申报。

　　二、国家高技术研究发展计划（863计划）信息技术领域（激光）2014年度备选项目征集指南

　　1、宽带模拟通信用光收发阵列芯片与模块

　　为满足4G移动通信中宽频带传输和低功耗无线接入的重大需求，研究高线性直接调制激光器阵列芯片、高频大功率光探测器阵列芯片、阵列芯片模块化耦合封装、多制式宽频带光载无线传输与分配等关键技术，并进行系统示范应用，填补国内高线性模拟通信光收发模块的空白。

　　1.1高线性激光器和光探测器阵列芯片（国拨经费限1100 万元，实施年限3年）

　　针对光载无线（RoF）组网技术对激光器和光探测器的要求，研制出模拟通信激光器阵列芯片，研制1310nm波段4通道模拟通信激光器阵列芯片和大功率光探测器阵列芯片，高频响应覆盖X波段以下频率范围，激光器单信道出纤光功率大于6dBm、光探测器饱和光功率大于5dBm。

　　2、100Gb/s中长距离光互连芯片及模块

　　研究100Gb/s光互连芯片技术，突破4×25Gb/s直接调制激光器（DML）阵列芯片、4×25Gb/s电吸收调制器与DFB激光器集成器件（EML）阵列芯片和4×25Gb/s光电探测器阵列芯片制备关键技术，实现100Gb/s光互连的业务演示。

　　2.1 1310nm波段4×25Gb/s激光器和探测器阵列芯片（国拨经费限1500 万元，实施年限3年）

　　研制4通道直接调制激光器（DML）阵列和电吸收调制器与DFB激光器集成器件（EML）阵列两类光发射芯片，调制速率均大于28Gb/s，动态消光比分别大于6dB和10dB，发射波长为1310nm波段中符合ITU-T规范的4个波长，波长信道间隔400GHz，边模抑制比大于35dB。研制4通道高速光电探测器阵列芯片，工作速率大于28Gb/s。

　　2.2 100Gb/s光互连光收发模块及系统验证（国拨经费限1000万元，实施年限3年）

　　研究满足IEEE 802.3 标准的100Gb/s光互连4通道直接调制激光器（DML）阵列和电吸收调制器，DFB激光器集成器件（EML）阵列光收发模块，单通道工作速率大于25Gb/s、功耗小于3.5W、工作温度范围0-70摄氏度，两类光收发模块传输距离分别大于10km和40km，并进行系统示范验证。

<上一页 1 2 3 4 5 下一页> 余下全文