新型激光器即将取代传统半导体激光器？

2013-05-21 09:44

　　图2为折射率和基模的光场分布。图中，N型波导层的厚度d1为0．4μm，P型波导层的厚度d2为0．2μm。采用LP-MOCVD方法制备外延片，并制作了单管器件。器件测试结果为：900μm腔长器件阈值电流密度典型值为400 A／cm2，内损耗降低到1．0 cm-1 ；连续工作条件下，最大斜率效率为1．25 W／A ，器件激射波长为807．5nm，垂直和平行结的发散角分别为34．8°和3．0°。20-70℃范围内特征温度达到133 K。图3和图4分别为外微分量子效率和阈值电流密度与腔长的关系，图5为150μm条宽，900μm腔长器件在室温连续条件下的输出光功率、电压和电光转换效率曲线。

　　通常，对称宽波导结构的内损耗都在2-5 cm-1的范围，国际最好的水平也较难接近l cm-1。从测试结果可以看到，国内该器件的内损耗已经降低到1．0cm-1 ，这表明采用非对称波导减小器件的光损耗是实际可行的。

　　1．2 腔面光学膜

　　腔面镀膜是大功率半导体激光器制备工艺中最重要的环节之一，它需要分别在两腔面镀上增透膜(AR)和高反膜(HR)。无论是单管还是列阵，808 nm、980 nm或其他波长，AR，HR对器件光电特性起着重要的作用：(1)光学膜的质量直接影响器件效率的高低；(2)改变AR膜的反射率值，可一定程度地调节最终的激射峰值波长；(3)腔面光学膜也是器件的保护膜。