华光光电:大功率半导体激光器的关键制备技术
9月18日,由中国高科技行业门户OFweek维科网主办,OFweek激光网承办的“OFweek 2018第十四届中国先进激光技术应用峰会暨‘维科杯’激光行业年度评选颁奖典礼”在上海正式举办。山东华光光电子股份有限公司技术经理朱振在主题演讲中,为大家介绍了大功率半导体激光器的关键制备技术。
山东华光光电子股份有限公司技术经理朱振
半导体激光技术的应用非常广,在当前主流的四种激光器技术中,除CO2激光器不使用半导体激光器以外,固体激光器、光纤激光器都必须用半导体激光器作为泵源,基础都是基于高功率半导体激光技术。半导体激光器作为底层核心技术,广泛应用于工业加工、增材制造、医疗美容、光动力治疗、激光显示、红外监控、激光雷达测距、高能武器等领域。
目前,半导体激光器在朝着高功率、高亮度、高效率、高可靠性、低成本的方向发展。朱振表示,“实现半导体激光器高功率、高效率输出有几个关键技术需要掌握。在这些关键技术中,结构设计是高功率半导体激光器器件的基础,高功率半导体激光器的发展与外延芯片结构的研究设计紧密相关。MOCVD外延材料生长是半导体激光器最核心、最关键的技术,外延生长的晶体材料质量,会直接影响到激光器的内损耗、阈值电流密度、量子效率、工作电压等光电参数性能。激光芯片的冷却和封装是制造大功率半导体激光器的重要环节,而集成封装结合光纤耦合技术是获得千瓦、万瓦级激光的主要途径。”
在半导体激光器的国内外产业现状方面,朱振表示:“器件封装技术要求相对较低,国内产业基础好,发展迅速。芯片制备是LD的关键,技术要求较高。外延是整个产业的核心,技术难度大,国内基础相对薄弱。”
最后,朱振介绍了国内一些致力于半导体激光器技术的生产研究单位,也介绍了华光光电的技术方向和产品。
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