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太赫兹脉冲可使相变材料长出晶体

导读: 由日本京都大学、筑波大学、东海大学和产业技术综合研究所组成的研发小组发现,用高强度太赫兹脉冲照射相变材料GeSbTe化合物(GST)后,该材料会以纳米尺寸从非晶状态生长出晶体。

由日本京都大学、筑波大学、东海大学和产业技术综合研究所组成的研发小组发现,用高强度太赫兹脉冲照射相变材料GeSbTe化合物(GST)后,该材料会以纳米尺寸从非晶状态生长出晶体。GST可用于目前使用的记录型DVD和新一代非易失性固体存储器,是一种备受期待的相变存储器记录材料。

该研究利用世界最高强度的太赫兹脉冲生成技术,成功向GST照射了高电场皮秒脉冲,晶体部分尖端的焦耳热促进晶体逐渐生长,由此可以引起各向异性晶体沿着电场方向生长。

该成果明确了在存储器的开关动作中瞬间发生的高电场效应,另外还显示出引起纳米尺寸极小结构变化的可能性,今后有助于实现相变存储器的小型化和高效率化。

(记者:陈超)

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