能效更高!一种超薄电子阻挡层诞生,可灵活地调控界面发光
发光二极管(LED)在照明和显示领域有着广泛的应用。考虑到界面损耗和载流子浓度匹配,同质结(homojunction)是最佳选择。
然而,对于一些难以获得同质结的半导体材料,能级匹配异质结构也是构建LED的一种选择。与GaN相比,ZnO的禁带宽度为3.37ev,与GaN相似。但其激子结合能高达60 meV,远高于室温热能(26mev)。因此,其激子可以在室温下稳定存在,有望实现室温激子型发光器件和低阈值激光器件。
在GaN/ZnO发光二极管中,可见界面发射是不可避免的。引入电子势垒是一种常用而有效的方法。在现有的研究中,适当的电子阻挡层,可以有效地阻挡界面发射,但如果可以通过调节界面发射来使用,将有效地提高LED的发光效率。
针对上述问题,团队在他们的操作中系统研究了HfO2电子势垒层对GaN/ZnO结构界面发射的调控。他们详细讨论了超薄HfO2层引入后器件结构的电场变化、能带变化和电子隧穿特性,从而勾勒出这些对器件电致发光特性的影响。
结果表明,当HfO2层厚度为5.03 nm时,器件的能带变陡,在ZnO与HfO2层的界面处产生较大的隧穿电流;界面发光波长从414 nm移动到394 nm,器件整体发光强度增加约2倍。
这个最新发表在《光电进展》(Opto-Electronic Advances)上的成果,提供了一种半导体异质结构界面发射控制的研究方法,以及一种获得高效的纯彩色异质结构发光二极管的制备方法。
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