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英国公司成功开发生产出磷化铟电信激光器结构

近日,总部位于英国苏格兰的半导体技术公司III-V Epi宣布,公司已经开发生产了针对温度不敏感操作的实验电信激光器结构。

据悉,这一外延开发项目是为萨里大学专门开展的,并由英国工程和物理科学研究委员会(EPSRC)旗下的“影响力加速资金”(Impact Acceleration Account,简称IAA)提供资助。

负责该项目的萨里大学首席研究员Stephen Sweeney教授表示:“III-V Epi的团队正在帮助我们开发坚固实用的磷化铟(InP)基外延晶片,用于电信激光器,从而消除了对昂贵、耗能高的冷却系统的需求。III-V Epi在材料系统的选择和可制造性方面提供了设计和工程专业知识,这为我们的设计模拟提供了参考。III-V Epi继续通过金属-有机化学气相沉积(MOCVD)技术为萨里大学生产晶圆,并进行加工、测试和进一步优化。III-V Epi拥有世界级的服务和专业知识,由此产生的激光器将是行业的一个突破。”

磷化铟(InP)作为半导体材料,具有其优良特性,具备饱和电子漂移速度高、发光波长适宜光纤低损通信、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性,这一材料作为衬底可被广泛应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件、激光器等。而金属-有机化学气相沉积(MOCVD)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术,以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料。

萨里大学是受英国工程和物理科学研究委员会(EPSRC)旗下IAA资助的36所大学之一,该资金项目为英国国家科研与创新署(UKRI)提供了快速获取资金的渠道,用于知识交流、创新和影响——例如概念验证、商业化和市场验证项目。

III-V Epi的主管Calum McGregor表示:“III-V Epi已经帮助许多客户将新的复合半导体产品快速推向市场,从而帮助他们缩短了生产周期。这是通过使用两个关键战略实现的:首先,通过专注于中、低量供应,我们能够将自己从行业的量产部分企业区分开来,这些部分由消费品巨头主导。其次,我们为客户消除了潜在的新产品引入瓶颈,从晶圆设计、产品开发和流程优化,到完整的测试、计量和表征服务,我们在提供了全流程的专业知识。”

财报显示,去年III-V Epi的大部分收入来自于持续生产需求的工业应用设备。其中,III-V Epi高达90%的营业额来自高增长、电信、数据通信、增材制造、激光雷达和多种光学传感行业的工业客户。

关于III-V Epi

III-V Epi公司为定制复合半导体晶片的设计、制造、测试和表征提供快速转换分子束外延(MBE)和金属-有机化学气相沉积(MOCVD)服务。通过专注于中低批量制造,该公司已经能够提供MBE和MOCVD、III-V、外延结构和超长服务,比行业标准的交货时间更短。目前,它主要向通信、电信、量子技术、国防、安全、汽车、农业和增材制造市场供应设备,并积累了来自大学、初创企业和小规模企业等一大批客户。


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