侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

上海光机所在等离子体增强原子层沉积HfO2薄膜激光损伤阈值方面取得新进展

近期,中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室朱美萍研究员团队在等离子体增强原子层沉积(PEALD)HfO2薄膜的激光损伤阈值(LIDT)方面取得新进展。相关研究成果发表在Journal of Alloys and Compounds上。

PEALD具有精确的厚度可控性,基于该方法的HfO2/SiO2三倍频减反射膜性能优良。然而,PEALD HfO2薄膜中的高杂质含量和非化学计量比导致其LIDT较低,是限制三倍频激光薄膜LIDT提高的主要原因。因此,如何提高PEALD HfO2薄膜的LIDT成为了研究重点。

研究人员将PEALD HfO2薄膜在不同气氛和不同温度下进行了退火处理,研究了对HfO2薄膜表面形貌、晶体结构、化学成分和LIDT(激光脉宽:7.8 ns,激光波长:355 nm)的影响。实验结果表明,在氧气气氛下退火更有利于杂质化合物(碳酸盐和胺)的分解和缺氧状态的改善。与退火前相比,在氧气气氛特定温度下退火的HfO2薄膜具有更低的C和N杂质含量,更高的化学计量比,从而具有更低的吸收和更高的LIDT。该实验为PEALD氧化物薄膜和其他含有类似杂质的氧化物薄膜的性能改善提供了参考,有利于相关激光薄膜LIDT的提高。

上海光机所在等离子体增强原子层沉积HfO2薄膜激光损伤阈值方面取得新进展

图1. 不同温度下氧气退火的HfO2薄膜的XPS能谱:(a)Hf 4f,(b)C 1s,(c)N 1s和(d)O 1s

上海光机所在等离子体增强原子层沉积HfO2薄膜激光损伤阈值方面取得新进展

图2. 不同温度下氧气退火的HfO2薄膜:(a)杂质含量,(b)O/Hf比,(c)吸收和(d)LIDT


声明: 本文系OFweek根据授权转载自其它媒体或授权刊载,目的在于信息传递,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责,如有新闻稿件和图片作品的内容、版权以及其它问题的,请联系我们。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

    激光 猎头职位 更多
    文章纠错
    x
    *文字标题:
    *纠错内容:
    联系邮箱:
    *验 证 码:

    粤公网安备 44030502002758号