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大族半导体正式参评“维科杯·OFweek2023年度激光行业精密激光设备技术创新奖”

维科杯·OFweek2023激光行业年度评选由高科技行业门户OFweek维科网主办,OFweek维科网·激光承办,活动旨在表彰激光行业具有突出贡献的优秀产品、技术及企业、人物,鼓励更多企业投入技术创新,同时为行业输送更多创新产品、前沿技术;以提高生产力、经济效益;给用户提供更大便利;引导行业良性快速发展。

本次评选活动2023年8月4日-8月10日为网络投票阶段,并将于2023年8月30日在深圳福田会展中心(8号馆)举行盛大的颁奖典礼。

目前,活动正处于火热的报名申报阶段,业内企业均积极响应。目前,深圳市大族半导体装备科技有限公司已经正式参评“维科杯·OFweek2023年度激光行业精密激光设备技术创新奖”

大族半导体正式参评“维科杯·OFweek2022年度最佳激光行业应用案例奖”

参选奖项:OFweek2023年度激光行业精密激光设备技术创新奖

参选产品:SiC晶圆激光退火设备

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产品推出年份/开发背景:大族半导体自2020年布局开发激光退火技术(Laser Anneal),适用于将SiC衬底与背面沉积金属的肖特基接触转化成良好的欧姆接触,研发并推出SiC晶圆激光退火设备

产品扼要说明:激光退火是利用脉冲激光能量控制精准,瞬时脉冲能量高的特性,经大族自研激光系统整形后,辐射SiC晶圆背侧金属,使Ni与SiC间发生合金化反应,并依次生成Ni/Si化合物层、碳聚集位层以及碳空位层。其中碳空位层起到施主作用,以降低金属Ni与SiC衬底间的势垒差,使两者间由肖特基接触转化成良好的欧姆接触。

设计应用或创新的关键点:

整合先进激光整形技术与能量控制系统:自研超高均一性平顶光斑整形技术;配置模态监测与预警系统;配置能量实时监控与自动补偿系统。

面向制程制备行业竞争力的设备工艺效果:针对SiC晶圆全制程要求精确控制激光退火工艺;高质量保证退火后整面均一性;三代半导体行业主流解决方案;高效形成稳定均匀的金 - 半界面欧姆接触;比接触电阻率 ≤ 5.0 x 10 ^ -5;4/6/8寸产品快速切换;

开发针对三代半导体材料制程的软件功能:FEC(边缘去除),通过软件设定任意去边大小;完备的报警和安全互锁功能,保证腔室简传输,人机交互界面,产品上下料等过程的安全性;符合SEMI S2、E84等半导体标准。


参选述说/理由:碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高热导率、高饱和电子漂移速度、高击穿电场等特性决定了其在高温、大功率领域的巨大潜力。为使SiC材料的性能得到充分发挥, 需解决的一个关键问题是欧姆接触的制备。

目前传统制备SiC晶圆欧姆接触的方法是在衬底表面沉积金属电极层后进行高温热退火。但是,传统的高温热退火工艺在减薄衬底中存在不足,如:退火范围不可控、衬底与沉积金属间容易发生侵蚀、影响界面形貌和物质分布均匀性等问题。

大族半导体基于行业需求,并深入关切客户实际生产核心问题,提炼简化工艺生产流。在保证满足三代半激光退火后,欧姆接触得以形成的生产要求前提下,同时高质量保证退火后整面均一性,开发出极具行业竞争力的SiC激光退火设备。

该设备拥有优越的加工性能,退火效果表现优异,品质极佳;自研光斑整形模组,配置模态监测与预警系统,设备稳定性良好,可全自动上下料,24小时持续生产,大幅节省人力成本;配置能量实时监控与自动补偿系统,兼容Wafer翘曲,非退火面不受影响;EFEM模组全自动传输,Aligner识别轮廓,4/6/8寸产品快速切换,并装载高精度CCD相机,能准确实现区域化退火,加工效率高,以 6 inch SiC晶圆为例,UPH可达6 pcs/h。

本届“维科杯·OFweek2023激光行业年度评选”活动于8月4日开始进入火热的“网络投票及专家评选”阶段,这一阶段用户可登录活动官方网站,对入围参赛企业、产品进行投票;评委团将对入围名单进行多次讨论,并参考网络投票意见,审定最终获奖名单。

还犹豫什么,赶紧去参加吧!8月4日起,为心仪的企业及产品投票吧!

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