2012年度激光科技“十大突破”
2012-11-27 09:34
来源：
OFweek激光网
7、激光冷却技术将改变半导体材料世界
据OFweek激光网消息——美国里海大学电子与计算机工程教授Yujie Ding表示，激光冷却将改善氮化镓（gallium-nitride）性能， 氮化镓是继硅之后的又一重要的半导体材料。
也许激光有一天会被用来冷却它穿过的材料，而不是去加热材料，而这要归功于里海大学和约翰霍普金斯大学的工程师的一个突破性的进展。
美国里海大学电子与计算机工程教授Yujie Ding说， 这一发现能用来制造更小、更轻巧、更便宜的通信设备，使其具有更快的翻转时间，增强输出和更高的工作电压。
Ding和约翰霍普金斯大学的电子与计算机工程教授Jacob Khurgin，获得了迄今为止最小的比率，即半导体材料散射现象中两种对立类型散射的比率。
最近他们在一篇特邀文章《回顾激光和光电学的关系》公布了他们的研究成果。
光子--光能量的单位--他们穿出和进入物体时，通常保持相同的动能和波长。拉曼（Raman）散射，是以Chandrasekhara Venkata Raman命名的，他是1930年诺贝尔物理学奖获得者，提出少部分散射光子的动能、波长和频率不同于入射光子。
详情关注：激光冷却技术将改变半导体材料世界
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