我国神光Ⅱ高功率激光实验装置的“四大金刚”
我国各类激光器的"第一台"
第一台固体红宝石激光器 1961年9月 王之江等
第一台He-Ne激光器 1963年7月 邓锡铭等
第一台掺钕玻璃激光器 1963年6月 干福熹等
第一台GaAs同质结半导体激光器 1963年12月 王守武等
第一台脉冲Ar+激光器 1964年10月 万重怡等
第一台CO2分子激光器 1965年9月 王润文等
第一台CH3I化学激光器 1966年3月 邓锡铭等
第一台YAG激光器 1966年7月 屈乾华等
激光技术的发展
中国激光科技从一开始就得到了国家的高度重视。1964年,中国科学院上海光学精密机械研究所(简称"上海光机所")成立。1964年国家启动"6403"高能钕玻璃激光系统,建成了具有工程规模的大口径(120毫米)振荡-放大型激光系统,最大输出能量达32万焦耳;改善光束质量后达3万焦耳。成功地进行了打靶实验,室内10米处击穿80毫米铝靶,室外2公里距离击穿0.2毫米铝耙,并系统地研究了强激光辐射的生物效应和材料破坏机理。最后从技术上判定热效应是根本性技术障碍,于1976年下马。这一项目使我国激光技术科研水平上了一个台阶。
中国核科学奠基人--王淦昌院士,和中国应用光学奠基人--王大珩院士
高功率激光和核聚变研究
1964年王淦昌独立提出激光聚变倡议,1965年立项开始研究。经几年努力,建成了输出功率100亿瓦的纳秒级激光装置,并于1973年5月首次在低温固氘靶、常温氘化锂靶和氘化聚乙烯上打出中子。1974年研制成功我国第一台多程片状放大器,把激光输出功率提高了10倍,中子产额增加了一个量级。在国际上向心压缩原理解密后,积极跟踪并于1976年研制成六束激光系统,对充气玻壳靶照射,获得了近百倍的体压缩。这一系列的重大突破,使我国的激光聚变研究进入世界先进行列,也为以后长期的持续发展奠定了基础。我国的激光科技事业,虽然也遭遇了"文革"十年浩劫,但借助于重点项目的支撑,仍艰难地生存了下来并取得了可贵的进展。
改革开放后,我国激光技术获得了空前发展的机遇。1980年5月,分别在上海、北京举行了第一次国际激光会议,与会代表218人(国外66人),邓小平同志亲切接见了与会中外代表。1983年在广州和1986年在厦门又举行了第二次、第三次国际会议,改变了我国的激光技术多年来封闭运转的局面,开始走向世界。先后成立了一批国家重点实验室、开放实验室、国家工程研究中心和产学研组织。在多项国家级战略性科技计划中,激光技术受到重视。"863"计划七大领域中有激光技术和光电子技术(包括用于信息领域的激光技术),1995年又增列了"惯性约束聚变"主题。国防预研光电子技术作为跨部门项目正式立项,其中也包括激光技术。国家"六五"和"七五"攻关计划,激光技术被列为重大项目。
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