二、云峰博士

　　云峰博士是国家“****”特聘专家。2010年受聘于西安交通大学电子与信息工程学院任教授。此前任美国朗明纳斯器件公司的器件工程师、首席器件研发工程师。曾任国际一线LED企业的高级技术顾问并于美国创办自己的科技公司。曾任职于美国大弗吉尼亚州立大学工程学院助理研究教授，从事宽禁带半导体材料和器件的学术课题研究。曾受聘为日本东京工业大学量子电子学研究所外国人研究员。

　　研究领域或方向

　　1.高效全光谱照明级半导体LED核心技术和工业化技术研究；

　　2.宽禁带化合物半导体光电器件的外延结构设计、材料生长和物理表征；

　　3.半导体器件纳米工艺和封装技术的研究。

　　科研项目

　　在美国朗明纳斯器件公司负责研发五年期间，主持多项研发课题，制定公司技术研发路线图，优异完成从新概念到产品原型设计、从试生产到量产化的全过程，保证公司的各种产品开发和发布处在国际领先水平。在美国和日本大学期间，作为课题或子课题负责人或主研人员承担了多项重大科研项目，例如日本文部省的硅基室温单电子器件及应用项目、美国联邦政府NSF， DOE， ONR和AFOSR的宽禁带半导体材料和器件的重大科研项目等。其中包括历时五年的美国著名的DURINT (Defense University Research Initiative on Nanotechnology) 项目的白皮书 (论证) 及阶段评审会。

　　学术及科研成果

　　自1987年本科毕业起在中科院西安光机所从事尖端光电子材料MOCVD生长和器件研究工作。曾获陕西省科学技术进步二等奖（排名第五）。博士阶段继续从事硅基光电子材料器件的研究。在纳米材料的生长及其在太阳能电池中的应用有较深入的研究。在日本东京工业大学量子电子学研究所全面掌握并拓展了国际上最先进的纳米制造技术，并在硅基光电子及微电子器件的应用研究中取得重大突破，早期成果得到国际同行的认可并发表在多篇国际著名期刊中。

　　1999年底于美国大弗吉尼亚州立大学从事III-V族氮化物半导体材料和器件的基础应用研究。在材料物性、MOCVD生长技术、器件设计及封装工艺等基础领域做出了大量奠基性的工作，并在该领域取得多项国际公认的突破性的学术成就，同时也在化合物半导体材料MOCVD生长及器件工艺以及材料和器件的表征方面取得了很高的造诣。例如在MOCVD生长过程中引入多层纳米结构以提高晶体质量，对GaN 材料极性和压电效应的关系研究，以及AlGaN合金材料的能带非线性系数的研究，相关论文被国际同行多次他引并高度评价。对MOCVD及MBE生长技术及关键设备亦有深入的实践经验。对包括发光二极管（LED）在内的光电器件设计优化有丰富的积累。在国际权威期刊（Appl. Phys. Lett.； J. Appl. Phys.； J. Crystal Growth； Elect. Lett.等）和国际学术会议发表著述数十篇并被广泛引用，包括科技论文，研究专著和会议报告，并在氮化镓材料和UHB-LED器件领域拥有关键知识产权的专有技术和专利。例如在国际上首次提出掩埋式氮化铝镓层辅助的激光蓝宝石剥离技术，大幅降低和简化了垂直结构超高亮度LED的制造成本和工艺流程。