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科学家在硅片上直接制备砷化镓激光器

导读: 香港科技大学Kei May Lau教授表示:“我们的激光器具有很低阈值,体积足以集成在微处理器中。这类激光器可以在硅片上生长。”

  在《应用物理学报》上刊登的一篇报道中指出,通过在硅基片上设计和构造纳米级模式可以限制晶格失配瑕疵,从而使得硅基片砷化镓模式接近零瑕疵,量子点的电子量子限域效应增长使得产生激光成为可能。

  工作在“回音壁模式”的激光器直径为1μm,被集成在数字芯片上用于通讯。

  香港科技大学Kei May Lau教授表示:“我们的激光器具有很低阈值,体积足以集成在微处理器中。这类激光器可以在硅片上生长。”

  Lau的团队和来自加利福利亚大学、桑迪亚国家实验室和哈佛大学研究人员共同合作。

  现如今,激光器还需要外部光源的光学泵浦。电泵浦将成为下一个研究方向。

  在上图中,绿色部分表示模拟的回音壁模式电场分布情况。橙色部分表示激光介质(量子点)的量子显微结构图像。蓝色部分描述的是纳米结构硅衬底上的碟片激光器。图片来源:《应用物理学报》

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