高塔半导体推出突破性激光雷达IC技术，专为ADAS和自动驾驶设计

2021-09-15 15:21

来源： OFweek激光网

高价值模拟半导体解决方案的领先代工企业——高塔半导体（Tower Semiconductor），今天宣布了激光雷达IC技术的最新突破，该技术专为高级驾驶辅助系统(ADAS)和最终的自动驾驶汽车设计。

这款新型创新集成电路，由南加州大学维特比工程学院电子与计算机工程系的研究人员设计，由SungWon Chung领导，使用Tower Semiconductor行业领先的开放式铸造硅光子学平台制造。

它采用光学相控阵——数百个紧凑型光学天线——以及硅芯片上的振幅和相位调制器，无需任何移动部件，就能对周围环境进行精确的3D成像。

此外，视野、分辨率、扫描模式和扫描速度都是可编程的，这意味着配备该系统的汽车，可以更好地响应现实场景。

Tower Semiconductor的PH18 Silicon Photonics平台，提供了一套丰富的光学元件，包括超高带宽调制器和光探测器，满足数据中心和基础光通信市场的需求。

该平台还提供了高精度激光雷达应用所需的高性能元件，如能够处理更大光功率的低损耗氮化硅波导。

该激光雷达IC能在人眼友好的1550nm波长下运行，使用连续波频率调制(FMCW)，使其更适应环境亮度和拥挤驾驶环境中其他激光雷达的干扰。

“我们很自豪能在这一创新的、具有根本性突破的激光雷达技术上进行合作，这是使安全的自动驾驶汽车和机器人成为现实的一步。Tower Semiconductor相信，只有通过今天这种开创性的科学研究，我们才能实现未来的工程解决方案。”Tower Semiconductor射频和HPA技术开发总监Ed Preisler博士说。

这方面的研究，被记录在2021年IEEE国际固态电路会议技术论文摘要中。

除了与Tower Semiconductor的共同合作成果之外，南加州大学的这项研究还得到了丰田中央研发公司(TCRDL)、三星先进技术研究所(SAIT)和南加州大学普拉特和惠特尼合作工程研究所(PWICE)的部分支持。