研究团队开发混合集成方法，成功将基于自组装量子点的确定性单光子源转移至基于离子注入剥离与转移技术制备的4英寸晶圆级4H－SiCOI光子芯片上（图1a为混合集成光量子芯片的结构示意图）。通过采用电子束曝光和干法蚀刻方法，实现了4H－SiC光子芯片和含有铟镓砷量子点（QD）的砷化镓纳米光子波导的高产率制备；同时开发亚微米精度薄膜器件转移技术实现砷化镓纳米光波导与4H－SiCOI光子芯片上光子学结构的混合集成。采用由锥形波导组成的双层垂直耦合器来实现了QD光子发射到4H－SiC光波导的高效耦合（如图1b和c）。

图1． （a） 在4H－SiCOI材料平台上设计的1×2 MMI器件示意图。在MMI器件的输入波导上集成了一个锥形GaAs纳米光子波导。两个输出端口端分别制备垂直光栅耦合器，左下插图为该结构的SEM图像；（b） 双层波导耦合器的结构示意图；（c） 波导耦合器的耦合效率随锥形长度的变化，插图显示了从顶部GaAs波导到下方4H－SiC波导的基本TE模场转移；（d） MMI器件中的电场强度分布；（e） MMI器件输出端口传输效率与器件耦合长度的变化关系。

此外，研究团队设计和制备了分束比为50：50的4H－SiC 1×2 MMI器件（如图1d和e），通过光纤分别收集两个光栅耦合器的光致发光谱信号并传输到光谱仪中， 上下光栅相同的计数率显示了MMI器件50／50功率分束比（如图2a和b）。 在对确定性单光子二阶关联函数的片上实验测量中，分别通过连续波激光器和脉冲激光器激励，在零延时处测得了g^（2）（0） ＝ 0．20 ± 0．03和g^（2）（0） ＝ 0．12 ± 0．02，低于经典极限（0．5），表明了光子的反聚束现象（如图2c和d）。该工作成功地在晶圆级4H－SiC 光子芯片上实现QD确定性单光子源的混合集成，并实现了对确定性单光子二阶关联函数的片上实验测量，为实现同时具有确定性单光子源的 CMOS 兼容的快速可重构量子光子电路提供了一种新的解决方案和研究思路。

图2． （a）和（b）是分别从顶部和底部光栅耦合器上采集的量子点光致发光谱（PL），插图分别显示了MMI器件针对量子点激子发光峰（X）的二维PL扫描图，其中的标尺长度为8 μm；（c）和（d）为从分离的两个光栅耦合器中收集的激子光子的归一化二阶空间互相关函数，分别在连续波激光激励条件下（c）和脉冲激光激励条件下（d）测量。

论文共同第一作者为中科院上海微系统所博士研究生朱一帆和博士后伊艾伦、以及中科院物理所博士研究生韦文奇，论文通讯作者为中科院上海微系统所异质集成XOI课题组欧欣研究员和张加祥研究员。该工作得到了国家重点研发计划、上海市科委启明星项目、中国科学院前沿科学重点资助项目等项目的支持。