日前，美国维易科精密仪器（Veeco Instruments）公司宣布，一家领先的半导体公司已经从它那订购了多个激光退火系统，以加速2纳米栅全能逻辑半导体芯片的设计和制造。

据透露，该订单包括LSA201™激光脉冲退火系统以及NSA500™纳秒退火系统。栅极全能是平面通道的垂直堆叠，从而提高了器件的驱动电流能力，泄漏最小，功耗更低，整体性能增强。

对于此次顺利斩获多个大订单，Veeco产品线管理高级副总裁Adrian Devasahayam博士评论称：“我们很高兴我们的退火平台被选中来加速下一代栅极全方位逻辑器件的生产，以满足人工智能等不断增长的市场需求。Veeco的LSA系统被广泛认为是逻辑领域低热预算应用的最佳退火解决方案。新的NSA500系统则能够为客户提供卓越的性能、可扩展性和生产力，以实现产品路线图。随着节点尺寸的减小和生产复杂性的增加，这些优势对于确保高设备性能至关重要。”

激光脉冲退火（LSA）是一种用于半导体前端制造的毫秒退火技术，通过激活掺杂剂来降低关键晶体管结构的电阻。Veeco的激光脉冲退火（LSA）系统能够在高温退火的同时，在前沿节点保持先进设备的低热耗性能。

NSA500系统则进一步将退火能力扩展到了低热消耗应用，如用于高级节点的后向供电和接触退火，以及材料改性应用，如空隙去除、再结晶和晶粒生长。这些退火步骤有助于确定所得到器件的电气特性和性能。

NSA500是一款先进的半导体制造设备，它满足了先进半导体节点和3D应用的关键需求，通过提供精密退火技术来避免底层器件结构的损伤，对低热预算和材料改性工艺具有重要意义。随着市场需求的增长和第二个系统的交付承诺，Veeco预计在未来几年内将获得大量生产订单。NSA500的多功能性适用于新应用，如背面功率传输和接触退火，这些功能在尖端半导体制造中至关重要。Veeco的技术因其提高设备性能和支持客户产品开发的能力而得到认可，成为其现有激光退火系统的重要补充。

Veeco Instruments是一家创新的半导体工艺设备制造商，提供先进的激光尖峰退火（LSA）技术解决方案。其激光退火、离子束、化学气相沉积（CVD）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）、单晶片蚀刻和清洁以及光刻技术在先进半导体器件的制造和封装中发挥着不可或缺的作用。凭借旨在优化性能、产量和拥有成本的设备，Veeco在其所服务的市场中保持领先的技术地位。公司主要机遇在于低电阻金属的纳秒退火和离子束沉积（IBD）这两项技术。

公司的主要品牌有：DI扫描探针显微镜、近场光学显微镜、DEKTAK探针轮廓仪、WYKO激光干涉仪和光学轮廓仪、NEXUS离子束沉积系统、TurboDisc金属有机化学汽相沉积、VEECO分子束外延系统、SPECTOR镀膜系统、VEECO离子源等等。

除了为多种电子设备生产工艺设备外，Veeco还为高带宽人工智能芯片提供专门封装。当下，全球人工智能相关订单正在增加。该公司规模较小，但在该行业仍不断获得能量实现增长。

Veeco Instruments是半导体设备行业的领导者，专注于开发电子设备生产所需的薄膜工艺设备。该公司的产品在包括照明、显示器和电力电子在内的各种市场中至关重要，这些市场占其收入的一半以上。

截至2023年底，该公司收入增长13.1%，净利润率为12.4%。在过去的一年里，该公司获得了强劲的投资者需求。今年以来，Veeco Instruments的股价更已上涨超过50%。

最新财报显示，2024年第一季度Veeco Instruments收入为1.745亿美元，高于2023年第一季度的1.535亿美元，超过了预期的1.7055亿美元。净利润达到2190万美元，比去年的870万美元大幅增加。GAAP每股收益为0.37美元，毛利率提升至43.2%，每股收益（EPS）也大幅上升至0.37美元。

公司高层分析称，其半导体业务营收连续第二个季度创历史新高，这主要得益于对激光退火系统的强劲需求。一家客户为他们的2纳米栅全能工艺下了多工具激光退火订单，包括纳秒退火系统。

在战略发展层面，领先半导体公司的重要订单无疑彰显了公司在行业中的显著市场地位以及客户对其创新产品的广泛认可。

纳秒退火技术，作为推动背面供电和栅极全能化的核心工具/工艺，展现出其独特价值。背面供电技术通过直接供电和缩短行程，有效减少了电阻压降和电迁移，进一步降低了噪音、干扰和功耗；而栅极全能化则带来了静电控制的优化、泄漏电流的减少以及设计灵活性的提升。

近期，公司管理层对激光脉冲退火服务的市场潜力进行了重新评估，并将预测值上调至2024年的6亿美元（从原先的5亿美元和几年前的3亿美元）和2027年的7.5亿美元。另外，纳秒退火的市场机遇也被重新评估，预计至2027年将达到4.5亿美元，远超先前的3.5亿美元预估。鉴于Veeco在激光脉冲退火领域长期占据的市场份额（从收购Ultratech时的约60%增长至如今的70%以上），Veeco更有望在未来3-5年内，从台积电（TSMC）等客户对纳秒退火工具的需求中获益。

此外，Veeco正积极寻求拓展其核心离子束沉积 (IBD) 技术的应用范围。目前，该技术已应用于EUV光刻掩膜毛坯的制造，并计划进一步扩展到膜处理领域，即安装在光掩膜上的膜层处理，以提升产量并降低次品率。

然而，更值得关注的是Veeco在前端半导体生产领域推出的新型离子束沉积（IBD）工具设备。这些工具特别适用于沉积低电阻金属，如钨和钌。在7-10um以下的互连中，钨、钌（以及钴）相较于铜具有显著优势，但其沉积工艺的要求也有所不同。这为Veeco提供了将离子束沉积（IBD）工具引入前端半导体制造工艺的绝佳机会。

管理层预计，在相对较短的时间内（大约三年），低电阻率金属沉积市场可能为Veeco带来高达3.5亿美元的商业机会。Veeco在这一领域的丰富经验，尤其是在EUV掩模毛坯上沉积钌的离子束沉积（IBD）工具及其他材料的应用，将成为其赢得客户订单的有力杠杆。