2012年度“十大激光器”盘点
2012-12-03 08:38
来源：
OFweek激光网
6、恩耐推出pearl 878.6nm半导体激光器
关于878.6 nm的半导体激光器用于泵浦Nd:YVO4晶体的研究和测试近几年已非常成熟，恩耐公司于2011年向市场推出878.6 nm半导体激光器，得到了非常好的反应。目前北美和欧洲的知名固体激光器公司已大规模采用878.6 nm作为标准泵浦源，用于泵浦固体激光器。与传统的808 nm泵浦相比，恩耐公司的878.6 nm激光器具有如下特点：
量子效率高，无需TEC
图1.是Nd:YVO4的能级图，其中A）是传统的808 nm能级跃迁图，B）是878.6 nm能级跃迁图，C)是激光发射对应的能级跃迁图。从图中可以看出，原子可吸收878.6 nm的光从基态跃迁到激发态4F3/2，直接从激发态产生激光。因此具有高的量子效率并能有效减少散热。恩耐公司的这款878.6 nm的半导体激光器在使用中无需TEC温控，仅通过环境风冷即可。国外文献报道的这款激光器的泵浦效率可达70%以上，而一般工业应用中可达50%。
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