“高速分布反馈半导体激光器···”项目获国家技术发明二等奖

2013-01-28 11:04

　　2002年，罗毅教授负责的2500万元的GaN蓝光发光管的研究与开发项目通过了鉴定，获山东省科技进步一等奖；建设了包括德国AIXTRON公司MOCVD设备在内的GaN材料与器件研究基地，自行研制的蓝色发光二极管获得突破，15000余个器件的测试结果表明，器件的典型工作特性与国际上高亮度发光二极管的市场水平基本相当。

　　2003年，正式在深圳研究生院建立了以罗毅教授为实验室主任的半导体照明实验室，主要从事大功率照明用LED的封装技术研究，从而建成了从芯片外延到器件封装的一整套研究平台。科技部启动了半导体照明工程后，罗毅教授被选为专家组成员。

　　迄今为止，共发表各类论文300余篇，其中有国际著名杂志论文超过90篇，国际会议论文超过近115篇。获得40多项专利，包括18项日本专利，一项欧洲专利，一项美国专利，国内专利若干。

　　孙长征

　　孙长征，清华大学副教授，1970年生于浙江省，1995毕业于清华大学电子系，获学士学位。1995－2000年，在清华大学电子系进行硕士和博士阶段的研究工作；1998－2000年赴东京大学进行交流访问；2000年回国，并于同年11月完成博士答辩；毕业后，留校任教并继续科研工作。主要研究方向集中在服务于光纤通信的InP基光电子器件。目前，作为课题组长负责“863”计划B类重点项目“DFB+EA集成光源芯片及模块”课题的研制工作，并作为骨干承担“973”计划重大项目“DWDM高速集成光源中增益的周期性调整与控制”课题的研究工作。在国际会议期刊上发表论文20余篇。

　　WTD

　　WTD从10年前开始，与清华大学共同承担国家863计划至今，依靠产学研用的联系与互动，相互支撑、协同创新，WTD作为技术创新的主体地位逐步确立，在国内首先实现了通信高端芯片、2.5G DFB的大规模量产。WTD长期在芯片研发上的投入体现了企业作为光通信器件国内龙头的责任感。与此同时，多年对高端芯片的投入为企业自身也带来了更强劲的市场优势。以2012为例，WTD自制DFB产能达到50万/月，预计到2013年，年产能将突破800万。

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