“高速分布反馈半导体激光器···”项目获国家技术发明二等奖

2013-01-28 11:04

　　3. 针对已有单片集成光源方案存在的工艺复杂、成品率低的问题，与法国学者A. Ramdane小组同时独立提出基于同一外延层结构的DFB激光器/EA调制器集成方法，有效地降低了外延次数和工艺复杂度，提高了器件成品率，先后成功研制出2.5 Gb/s和10 Gb/s DFB激光器/EA调制器单片集成光源。

　　4. 针对集成光源调制带宽受限于EA调制器电容这一瓶颈问题，研究发展了新的干法深刻蚀和厚绝缘层平面化电极技术，有效降低了结区电容和电极电容，成功研制出调制带宽大于40 GHz的DFB激光器与EA调制器单片集成光源芯片，主要性能指标达到国际上同类结构集成光源芯片的领先水平。

　　罗毅

　　罗毅：清华大学教授，工学博士，1960年2月生，1983年毕业于清华大学无线电电子学系电子物理与激光专业，分别于1987年和1990年在日本东京大学工学部电子工学科获工学硕士与博士学位，1990年4月-1992年3月在日本光计测技术开发株式会社中央研究所任研究员。1992年4月回国，同年因学术成就突出被破格提升为清华大学电子工程系教授，1995年晋升为博士生导师。现担任集成光电子学国家重点联合实验室主任、清华大学实验区主任(该重点实验室在2002年由科技部组织的包括计算机、软件、信息材料与器件等所有36个信息类国家重点实验室的评估中获第一名)。曾任国际电机电子工程师学会主办的量子电子学杂志编委(Associate Editor of IEEE Journal of Quantum Electronics，1996-1998)，教育部长江特聘教授。

　　罗毅教授主要从事半导体光电子器件方面的研究工作，其中包括器件物理与设计，化合物半导体材料的外延生长技术、全息光栅的制作技术、器件制作工艺技术、材料与器件特性的评价技术。近几年来的研究重点是分布反馈半导体激光器及单片光子集成器件，是增益耦合DFB激光器——国际公认的优秀光源的开创者之一，他也是国内最早从事DFB激光器与电吸收调制器单片集成研究的科学家。

　　近年来他入选了国家教委首批跨世纪优秀人才计划、获得霍英东教育基金会青年教师基金、自然科学基金优秀中青年人才专项基金、自然科学基金杰出青年基金A类项目以及C类项目的资助、作为负责人正在承担国家自然科学基金重大项目“半导体光子集成基础研究”子课题“含Bragg光栅反射器的光子集成器件的基础研究”、“863计划”项目“10Gbit/s DFB半导体激光器/电吸收调制器单片光子集成器件”。国家重点实验室的二次建设项目。作为首席科学家正在主持国家重大基础研究项目“支撑高速、大容量信息网络系统的光子集成基础研究”。