IPG光子公司激光技术专利一览

2013-06-04 10:29

　　8、利用用于使用氩覆盖气体的钛焊接的光纤激光器的系统和方法

　　本发明是用于减少由光纤激光器产生的等离子体焊接所导致的污染的方法和系统。本发明在用于将高密度光束应用于焊接材料的最佳配置中确定光纤激光器，该最佳配置消除了光谱干扰。在焊接区域周围的横流或受控环境中使用惰性屏蔽气体——优选为氩——的一个操作条件中，所述光束以1064nm+/-0.5nm的窄带宽进行应用，以防止在所述焊接区域中形成的等离子体的污染。所述方法通过确定并避免所述光纤激光器和所述一种或多种覆盖气体的发射光谱以及所述焊接材料的任何特定的激发光谱来优化。所述系统可利用单个激光器输入，或可利用由耦合装置连接的多个激光器，并利用切换器来选择一个或多个光纤激光器。

　　发明(设计)人：瓦伦丁·P·加蓬塞夫查理·布里奇迈克尔·莱昂奥莱格·什库瑞昆罗伯特·安尔加沙达雷尔·科尔曼塞巴斯蒂安·法夫瑞布里

　　9、二次电池以及使用该二次电池的二次电池模块

　　本发明公开一种二次电池，其包括：电池主体，其内配置有电极组件；以及电极片，其沿特定方向从电极组件的每个电极延伸至电池主体的外部，且在其中间部分具有至少一个弯曲部。

　　发明(设计)人：韩裕熙

　　10、多模光纤

　　一种整体光纤被构造成具有双瓶颈形多模(MM)纤芯，其能够在给定波长下实质上只支持基模，并具有相对的端区、从相应的端区向内延伸的锥台形状的转换器区和桥接所述转换器区的尺寸均匀的中心区。MM纤芯具有阶跃折射率分布，所述阶跃折射率分布被构造成具有居中的下凹，所述下凹具有沿光纤长度可变的宽度。下凹的宽度在MM纤芯的端区较小，以便只支持具有高斯分布的基模。随着下凹沿输入转换器区变大，其逐渐使高斯分布形成为基模的环分布，其沿MM纤芯的中心区被导引。下凹沿输出转变区逐渐变小，以便使环分布的形状回到从MM纤芯的输出端区辐射的基模的实质上的高斯分布。折射率分布具有掺杂一种或多种稀土元素的环区域，并被构造成实质上只是放大基模。

　　发明(设计)人：瓦伦丁·盖庞特瑟夫迈克尔·弗亚特金瓦伦丁·弗明尼古拉·普拉特诺夫