拟投资10亿元长光华芯打造先进化合物半导体光电子平台

2022-12-29 15:48

据悉，12月27日，长光华芯全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司与苏州科技城管理委员会签订项目投资合作协议，拟在太湖科学城新建先进化合物半导体光电子平台项目，项目总占地面积约31亩，投资总额约10亿元。

本次签约项目围绕光电与化合物半导体开展业务拓展与投资孵化工作，对标国际顶尖水准，打造基于多种化合物半导体的光电与电子器件的材料、工艺以及封装技术开发的先进器件研发和产业化平台。

该平台建设周期2年，计划2023年开工，2025年建成投产，平台建成后，将具备年产1亿颗芯片、500万器件的能力。研发和工艺平台具备支持全系列化合物半导体器件的研发和生产能力。在目前国际领先的6吋化合物生产线基础上，推动研发硬件条件以及研发生产水平全面达到国际顶尖，具备多领域的国产器件与模块进口替代能力，全力构建政府、资本、产业、区域、研究所及企业、上下游创新协同、供应链互通的新一代中国激光国产化产业生态链，推动我国激光产业科技创新。

项目建设效果图来源：长光华芯

这次项目签约，是长光华芯全面贯彻公司“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”发展战略的重要举措。长光华芯成立于2012年，自公司设立以来，围绕半导体激光芯片业务，不断投入产品研发和产业化，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，是国内拥有完整高效率高功率半导体激光器垂直生产工艺的公司。基于核心技术研发生产的半导体激光芯片系列产品已在工业激光器、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达及3D传感等领域得到了产业化应用。

2022年4月1日，长光华芯在科创板鸣锣上市，成为A股第一家半导体激光芯片上市公司。目前，长光华芯已建成从芯片设计、MOCVD（外延）、光刻、解理／镀膜、封装测试、光纤耦合等完整的工艺平台和量产线，是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司。公司高亮度单管芯片和光纤耦合输出模块、高功率巴条和叠阵等产品，在功率、亮度、光电转换效率、寿命等方面屡次突破，获多项专利，与全球先进水平同步。公司建立了完整的研发、生产及质量管理体系，通过了ISO9001质量体系，以高性能和高可靠性产品服务客户。

早在2018年初，长光华芯便出资设立了苏州半导体激光创新研究院。同年3月，长光华芯与苏州高新区政府在上海签署协议共建半导体激光创新研究院，投资金额达5亿元。2021年7月，该项目通过验收；2022年8月，该半导体激光创新研究院启用。该项目总建筑面积12980平方米，是苏州市高新区政府高度重视的重点项目，能够充分利用和发挥长光华芯半导体激光器芯片技术的领先性和辐射能力，吸引全球顶尖人才，汇聚相关高端产业，构建可持续发展的领先的研发平台，打造具有国际影响力的半导体激光器芯片及相关领域创新高地和产业基地。

长光华芯已成为全球少数几家具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业，攻克关键核心技术，在芯片设计、关键设备、工艺技术和原材料方面实现自主可控，产品技术国内领先，国际一流，月产芯片超过400万颗，并顺利完成了从高功率半导体激光芯片向激光雷达与3D传感芯片的横向扩展，成为太湖光子中心的中坚核心力量。