——中国工程物理研究院应用电子学研究所主要从事国防尖端高技术研究。从20世纪60年代发展核技术应用电子学，到20世纪80年代末承担国家863计划强激光和高功率微波两项重大主题研究任务，在激光、微波、辐射成像等领域取得了一系列重大研究成果，为国家安全和国民经济建设做出了重大贡献。建所以来，应用电子学研究所研制出我国第一台脉冲功率加速器——闪光一号、曙光一号自由电子激光器、高亮度微波电子枪、L波段30MeV电子直线加速器、高亮度超导光阴极注入器、高能固体激光装置和高功率微波装置等多个大型研究平台。目前，建有国家863计划强辐射重点实验室、国家863计划光束控制实验室、国家X射线数字化成像大型仪器中心、高功率微波技术国防科技重点实验室、国家核技术应用工程中心加速器技术研发部、高能工业CT产业化示范基地、国家863计划太赫兹技术研究中心等多个国家级重点实验室。

　　信息科学与电子工程学科简介

　　学科从事的研究领域主要包括：高功率固体激光技术与应用、高功率光纤与功率合成技术研究，超短超强脉冲技术，激光与物质的相互作用物理与实验研究，太赫兹源与应用技术研究。

　　加速器物理与脉冲功率技术研究，相对论高功率微波器件物理技术，超大功率微波器设计与全固态放大器技术，高功率微波技术，电真空技术和测量诊断技术研究。

　　高精度传感器技术，雷达及遥测技术，THZ通信技术，微光机电技术，高速信号采集与处理技术，图像图形学与图像处理技术，计算机软件硬件与应用技术，网络安全与信息安全技术。

        主要成果：

　　1、小快轴发散角连续8 kW叠阵二极管激光器研制

　    高功率连续DL bar封装技术

　　通过对不同金属材料和合金焊料的分析，最后选择金属Ag作为添加剂加入In焊料中，使其形成InAg合金焊料，使芯片焊接可靠性获得较大提高。同时，为了获得小的smile效应，通过理论分析和大量工艺实验，对热沉表面状态、热沉金属化工艺、焊接力、焊接温度曲线等方面进行工艺优化改进，并对每个工艺环节进行严格的检验控制，使我们的单元DL的封装技术水平获得了较大提高，实现了单元DL bar连续100 W激光输出，寿命>5 000 h，同时封装的DL bar基本上可以控制在大于80%的产品的smile效应小于2 μm。表1是我们封装的20片叠阵与进口产品smile效应的对比测试结果。我们封装的单元DL模块的电流-激光功率-电光效率实验测试在工作电流110 A时，输出激光功率达到了106 W，电光效率为55%。

　　叠阵DL精密耦合输出技术

　　根据DPL激光器的设计要求，希望连续叠阵DL泵浦源快轴准直后整体输出发散角尽量小，单元DL输出激光的指向性优于±0.1°。这对DL bar焊接的smile水平，以及快轴准直透镜的指标和安装方法都提出了很高的要求。通过对快轴准直微透镜装调方法的大量实验分析研究，我们设计了较合理的叠阵DL精密装调平台。采用同时监测准直光束近场和远场像的方法进行快轴准直微透镜装调，获得了较好的装调效果。为了检验我们封装的叠阵DL快轴准直耦合输出的效果，采用相同的测试方法，对我们封装的20片叠阵DL与从国外公司进口的20片叠阵DL进行了对比测试，从测试结果可以看出，我们封装的叠阵DL快轴准直耦合输出结果与进口叠阵指标接近，实现了快轴整体发散角(1/e2)≤0.3°，单bar输出激光的指向性优于±0.1°。

　　叠阵DL组装及性能测试