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几个LD bar和chip的布图设计
分享几个LD芯片设计的产品图。
Laser chip在制造过程中由于要切bar条镀膜,所以要先分成一个一个的bar条,因此在设计上不同于常规wafer。
第一幅图是一个3inch LD wafer,看得出wafer在刻图前做了二次晶向校准。图案分两个主部分和三个附部分。bar条的长度预计25mm-30mm,宽度1mm;约120个bar条,附部分的bar条可能和主部的长度不同。
图2是UV laser切割后的图,用的是蓝宝石衬底。wafer基本上没啥特殊设计,都是一张图盖下来。
图3是日本的一家公司4寸激光晶元展品。bar条尺寸保持一致,cell布图对称。其他信息看不出了。
激光器的尺寸设计还跟激光器的种类关系很大,如何布图基本上都是看后面的切合和排bar设备能力。如何做到最高效以及优不浪费外延是有一个取舍的。
上图是华光光电的LD流程的,可以学习一下。
过程都是类似的。
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