为贯彻落实《省人民政府关于省级财政部分专项资金试行竞争性分配改革的意见》精神，以优化资源配置、提升项目管理创新水平为目标，湖北省科技厅拟选择《半导体激光器及其应用开发（2013ZB02）》等一批重大科技创新计划项目面向社会公开招标，优选项目承担单位。本次招标工作遵照《中华人民共和国招标投标法》、《科技项目招标投标管理暂行办法》等有关规定和要求进行。其中，投标人基本资格条件要求

　　1.　必须为在湖北省境内注册、具有独立法人资格、管理规范、有健全的财务管理制度和会计核算制度的企业；

　　2.　承担过省级以上科技计划项目，项目验收（结题）情况良好；

　　3.　具有较强的研究开发能力，创新性强，拥有自主知识产权，知识产权明确；

　　4.　在湖北省注册一年以上，经营状况良好，无不良信用记录，有与实施项目相匹配的资金筹措能力，年销售收入不低于5000万元。

　　领取招标文件的时间及地点。

　　领取时间：2013年6月7日-9日（上午8：00-12：00，下午14：30-17：30）

　　领取地点：省科技厅高新处403室 027-87135813

　　一、半导体激光器及应用简介

　　半导体激光器又称为激光二极管（LD，Laser Diode），是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、硫化锌（ZnS）。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦激励三种形式。半导体激光器件，一般可分为同质结、单异质结、双异质结。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体激光器的优点在于体积小、重量轻、运转可靠、能耗低、效率高、寿命长、高速调制，因此半导体激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、激光医疗、激光测距、激光雷达、自动控制、检测仪器等领域得到了广泛的应用。

　　半导体激光器工作原理是：通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种：电注入式、电子束激励式和光泵浦激励式。电注入式半导体激光器一般是由GaAS（砷化镓）、InAS（砷化铟）、Insb（锑化铟）等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导体激光器一般用N型或者P型半导体单晶（PbS、CdS、ZhO等）作为工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励。光泵浦激励式半导体激光器一般用N型或P型半导体单晶（GaAS、InAs、InSb等）作为工作物质，以其它激光器发出的激光作光泵激励。

　　目前在半导体激光器件中，性能较好、应用较广的是：具有双异质结构的电注入式GaAs二极管半导体激光器。

　　半导体光电器件的工作波长与半导体材料的种类有关。半导体材料中存在着导带和价带，导带上面可以让电子自由运动，而价带下面可以让空穴自由运动，导带和价带之间隔着一条禁带，当电子吸收了光的能量从价带跳跃到导带中去时就把光的能量变成了电，而带有电能的电子从导带跳回价带，又可以把电的能量变成光，这时材料禁带的宽度就决定了光电器件的工作波长。