光刻胶
光刻胶（Photoresist），别称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。它是由感光树脂、增感剂和溶剂组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光查看详情>刻胶，可在表面上得到所需的图像。
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光刻芯片新突破：光刻对准精度=激光波长的1/50000！
近日，马萨诸塞大学阿默斯特分校的研究团队开创了一种新技术，利用激光照射芯片上的同心超透镜生成全息图，从而实现对3D半导体芯片的精确对齐。
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新型EUV光刻技术面世：实现大幅“降本增效”
近日，来自冲绳科学技术大学院大学（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一项革命性的极紫外（EUV）光刻技术，该技术不仅超越了现有半导体制造的界限，更预示着行业未来的新篇章。
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两大巨头开设EUV光刻实验室！
日前，荷兰光刻机巨头ASML与半导体大厂imec宣布，双方将在荷兰费尔德霍芬（Veldhoven）共同设立了一家高数值孔径（NA）极紫外线（EUV）光刻实验室。
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俄罗斯光刻机问世：欲跻身光电领域全球前十！
俄罗斯将国家的技术主权纳入了一系列关键发展目标，俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试。该设备可确保生产350nm（0.35μm）的芯片，应用于汽车、能源和电信等多个行业。
光刻机 2024-05-30 -
英特尔：已拿下ASML明年上半年大部分NA极紫外光刻设备！
据韩媒报道，英特尔已经获得了阿斯麦（ASML）在明年上半年制造的大部分高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV) 光刻设备。
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国产16振镜头钙钛矿高速激光刻蚀成套设备完成交付
近日，武汉元禄光电技术有限公司（以下简称“元禄光电”）设计研发的1000×1650mm大尺寸钙钛矿P1／P2／P3成套激光划线设备在客户端实现交付，本设备主要应用于第三代大尺寸钙钛矿薄膜太阳能电池的精
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明年交付！德国光电巨头“押宝”半导体电子束光刻系统
近日，德国光学组件和传感器系统供应商——业纳（Jenoptik）宣布，正在为在建中的德累斯顿高科技工厂投资配备一套最先进的电子束光刻系统系统，投资金额高达数百万欧元。
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国产首台套在线高速激光刻痕设备通过中钢协评价
“该项目成果属国产首台套在线高速激光刻痕设备，填补国内空白，整体技术达到国内领先水平”。12月22日，在广州由中国钢铁工业协会主持的、由广州翔声智能科技有限公司（以下简称翔声智能）完成的“取向硅钢在线高速激光刻痕设备关键技术及应用”科技成果评价会上，评价委员会得出以上评价结论
激光刻痕设备 2023-12-28 -
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拨款100亿美元！美国纽约州将建NA极紫外光刻中心
美国纽约州宣布与IBM、美光、应用材料和东京电子等公司合作，共同投资100亿美元扩建纽约州的奥尔巴尼纳米技术综合体，最终将其打造成一个高数值孔径极紫外（NA - EUV）光刻中心。
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理化所在飞秒激光面投影正胶跨尺度拓扑微纳结构及应用研究方面获新进展
跨尺度微纳结构在光学、半导体、微机电、生物医学和仿生领域中发挥着重要作用。正性光刻胶具有高分辨率和对环境友好的优点，在光刻领域有着广泛的应用。
激光 2023-10-08 -
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理化所在飞秒激光无掩膜光刻拓扑结构及细胞球浸润机制方面取得进展
近日，中国科学院理化技术研究所仿生智能界面科学中心有机纳米光子学实验室研究员郑美玲团队在跨尺度微纳拓扑结构制备及细胞球浸润性调控方面取得了新进展。
激光 2023-05-17 -
理化所在飞秒激光无掩膜光刻拓扑结构及细胞球浸润机制方面取得新进展
中科院理化所仿生智能界面科学中心有机纳米光子学实验室郑美玲研究员团队近日在跨尺度微纳拓扑结构制备及细胞球浸润性调控方面取得了新进展。该团队提出采用飞秒激光无掩膜投影光刻技术（MOPL）制备大面积兼具高精度的微盘阵列拓扑结构以研究细胞球的浸润性。
激光 2023-05-06 -
理化所在飞秒激光无掩膜光刻拓扑结构及细胞球浸润机制方面获进展
随着组织工程领域的发展，生物材料界面与细胞的相互作用及物理机制成为研究热点。生物界面的拓扑形貌可以有效调控细胞行为并影响细胞功能。而体内的一些生理过程如胚胎发育、免疫应答和组织更新与重塑等往往涉及多细胞的集体行为
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日本科学家研发超快激光结构技术，可替代光刻技术生产晶体管
通过使用钛:蓝宝石（Ti：Sapphire）激光和中红外自由电子激光来构造硅，日本科学家们已经证明了激光诱导的周期性表面结构(LIPSS)是如何随激光性质而发生变化的。
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宇微光学完成数千万元A轮融资 致力于光刻掩模优化设计技术与软件的自主开发
近日，武汉宇微光学软件有限公司（以下简称“宇微光学”）宣布完成A轮数千万融资，致道资本联合武汉光谷产业投资、烽火创投三家机构共同参与投资。本轮融资完成后，宇微光学将进一步加强各核心模块的集成化与软件产品化，同时对各项软件参数进行标定、测试与验证
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三星与ASML达成协议：采购下一代 High-NA EUV 光刻机，单价近 26 亿元
6 月 30 日消息，据 BusinessKorea 报道，三星电子副董事长李在镕于 6 月中旬结束了对欧洲的商务访问，此行他与 ASML 公司就引进该荷兰半导体设备制造商的下一代极紫外（EUV）光刻设备进行了会谈。
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ASML新品光刻机:intel锁定 冲击2nm工艺
ASML光刻机就目前来看，其拥有着芯片研究部最核心的激光设备——光刻机，并且，对于EUV后台零配件早已形成一套标准供应链闭环，这也是ASML公司全球最大半导体设备制造商原因之一。
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科视光学完成近4亿元C轮融资，加速PCB、光伏及半导体领域光刻项目量产
近期，高端光学装备及机器视觉光源厂商科视光学完成了近4亿元C轮融资，本轮融资由中芯聚源、民生股权投资基金、洪泰基金联合领投，产业投资方鑫睿资本、分享投资等跟投。云岫资本担任本轮融资独家财务顾问。科视光
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激光材料市场规模2028年将达20亿美元，光刻成一大推动力
最新报告显示，激光材料市场在2021年预计为18亿美元，到2028年有望达到约20亿美元的估值，2022-2028年间以5.8%的复合年增长率发展。激光材料市场的增长是由光刻技术的激增需求、各种终端垂直领域激光的不断增长以及军事工业的增长所驱动的。
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南京理工大学激光直写无掩模光刻机曝光机采购公开招标
项目概况激光直写无掩模光刻机曝光机采购 招标项目的潜在投标人应在线上获取获取招标文件，并于2022年05月10日 09点30分（北京时间）前递交投标文件。一、项目基本情况项目编号：ZZ0023－G22
激光直写无掩模光刻机曝光机 2022-04-08 -
国望光学光刻机曝光系统生产基地项目获新进展，三家企业位列中标候选人
北京市公共资源交易服务平台日前发布《投影光刻机曝光光学系统研发及批量生产基地项目洁净工程中标候选人公示》，四联智能技术股份有限公司等三家企业位列中标候选人。公开资料显示，该生产基地建设单位为北京国望光
投影光刻机曝光光学系统 2022-03-08 -
氖气价格大涨！这种光刻机原材料供应受限，半导体供应链警报再拉响
俄乌开火引发全球关注，给芯片行业带来了巨大的风险，并加剧了当前供应链的紧张局面。所谓牵一发而动全身，你可能想不到的是，这也与激光行业产生了一定的关联：这种用于光刻机的光刻气体，就是大部分主流光刻机“光源”不可或缺的一种重要原材料。
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里程碑！通快第200台EUV光刻机光源已发货
德国通快集团在不久前完成了第200台EUV光刻机光源的发货。通快预计，在2022财年EUV业务销售额将大幅增加到6亿欧元。
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全球光刻机龙头ASML 2021全年销售额186亿欧元
1月19日，全球光刻机龙头ASML 公布了其2021年第四季度和2021全年的业绩。第四季度净销售额为50亿欧元，毛利率为54．2％，净收入为18亿欧元；2021年净销售额为186亿欧元，毛利率为52．7％，净收入为59亿欧元
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Intel全球首个下单订购ASML最先进EUV光刻机
1月19日，Intel宣布第一个下单订购了ASML TWINSCAN EXE：5200光刻机。TWINSCAN EXE：5200是ASML的高NA（数值孔径）EUV光刻机，其吞吐量超每小时220片晶圆（wph）
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