炬光科技相关专利一览---半导体激光器
6.一种用于半导体激光器的液体制冷片及其制备方法
本发明涉及一种用于半导体激光器的液体制冷片及其制备方法,该液体制冷片包括制冷片主体,其中制冷片主体为多边形片状,制冷片主体的中部垂直开设有固定通孔,固定通孔的两侧分别设有入液通孔和出液通孔,所述入液通孔内设有散热翅片,所述制冷主体在靠近入液通孔的一端设有芯片安装区。该液体制冷片不仅制作简单、制作成本低、使用和维护简单,而且散热能力强、可靠性高,并且对密封的要求低。
权利要求
一种用于半导体激光器的液体制冷片,包括制冷片主体,其特征在于:所述制冷片主体为多边形片状,制冷片主体的中部垂直开设有固定通孔,制冷片主体上垂直设有入液通孔和出液通孔,所述入液通孔内设有散热翅片,所述制冷片主体在靠近入液通孔的一端设有芯片安装区。
7.双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法
申请号:201210171180.0申请日:20120529主分类号:H01S5/024[公开号]102684066A[公开日]2012年9月19日
本发明提供了一种双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法,以提高多量子阱半导体激光器的散热效率,实现大功率的激光输出。该双通道液体制冷多量子阱半导体激光器,包括分别位于多量子阱芯片上方的上液体制冷器和下方的下液体制冷器、以及与多量子阱芯片处于同一层面用于隔离上、下液体制冷器的绝缘片;多量子阱芯片的负极面和/或正极面通过应力缓冲导电层与上液体制冷器和/或下液体制冷器连接;应力缓冲导电层的厚度使得多量子阱芯片位置处的总厚度与绝缘片位置处的总厚度相等。本发明采用上下两个微通道制冷器,大大增加散热面积,达到减小器件热阻,提高散热能力的目的。
权利要求
双通道液体制冷多量子阱半导体激光器,包括分别位于多量子阱芯片上方的上液体制冷器和下方的下液体制冷器、以及与多量子阱芯片处于同一层面用于隔离上、下液体制冷器的绝缘片;多量子阱芯片的负极面和/或正极面通过应力缓冲导电层与上液体制冷器和/或下液体制冷器连接;应力缓冲导电层的厚度使得多量子阱芯片位置处的总厚度与绝缘片位置处的总厚度相等。
8.一种带指示的多发光单元半导体激光器模块耦合装置
申请号:201210140276.0申请日:20120508主分类号:G02B27/09[公开号]102662240A[公开日]2012年9月12日
本发明提供一种带指示的多发光单元半导体激光器模块耦合装置。该多发光单元半导体激光器模块耦合装置包括在电路板上固定设置的多个半导体激光器模块和一个指示模块,所述指示模块采用可见光半导体激光器芯片;每个半导体激光器模块组中的每一个发光单元的输出分别接入与之一一对应的光纤跳线,指示模块的输出也接入单独的光纤跳线;所有的光纤跳线以物理汇聚方式形成合束输出。本发明使激光器模块无需进行复杂的光束整形,以较低的成本、简便的设置实现了高功率输出、光斑均匀。
权利要求
一种带指示的多发光单元半导体激光器模块耦合装置,其特征在于:包括在电路板上固定设置的多个半导体激光器模块和一个指示模块,所述指示模块采用可见光半导体激光器芯片;每个半导体激光器模块组中的每一个发光单元的输出分别接入与之一一对应的光纤跳线,指示模块的输出也接入单独的光纤跳线;所有的光纤跳线以物理汇聚方式形成合束输出。
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