9.应用于半导体激光器的液体制冷器的制备方法及其制冷装置

　　申请号：201210104373.4申请日：20120411主分类号：H01S5/024[公开号]102623889A[公开日]2012年8月1日

　　本发明提供一种应用于半导体激光器的液体制冷器的制备方法及其制冷装置。该液体制冷器的制备方法，包括以下步骤：（1）在制冷器基体的上方开孔口，经由该孔口在制冷器基体内开设空腔；（2）在孔口位置安装盖板，或者采用堵片与孔口平齐焊接或粘接使制冷器基体外壳平整，从而实现对孔口的封闭；在步骤（2）之前，根据所述孔口的尺寸加工盖板或堵片，盖板或堵片的内侧固定设置与所述空腔匹配的散热组件以形成液冷通道；散热组件的结构设计依据是：尽可能增大散热面积，并使得所述液冷通道具有多条路径，加大冷却介质的湍流度。本发明具有散热能力强、成本低的优点，具有可调整性，便于设置防腐蚀层以提高可靠性。

　　权利要求

　　一种应用于半导体激光器的液体制冷器的制备方法，包括以下步骤：（1）在制冷器基体的上方开孔口，经由该孔口在制冷器基体内开设空腔；在制冷器基体的一端侧壁上开设进液口，另一端侧壁上开设出液口，并使进水口和出水口与所述空腔连通；（2）在孔口位置安装盖板，或者采用堵片与孔口平齐焊接或粘接使制冷器基体外壳平整，从而实现对孔口的封闭；在步骤（2）之前，根据所述孔口的尺寸加工盖板或堵片，盖板或堵片的内侧固定设置与所述空腔匹配的散热组件以形成液冷通道；散热组件的结构设计依据是：尽可能增大散热面积，并使得所述液冷通道具有多条路径，加大冷却介质的湍流度。

　　10.一种高功率高亮度LED光源封装结构及其封装方法

　　申请号：201110454657.1申请日：20111220主分类号：H01L33/48[公开号]102593317A[公开日]2012年7月18日

　　本发明公开了一种高功率高亮度LED光源封装结构及其封装方法。本发明的封装结构，包括散热板、线路板和LED模块；所述的LED模块是对LED芯片进行接触式散热处理、降低热应力处理以及绝缘处理后制成的LED模块；LED模块焊接在散热板上；线路板焊接或粘结在散热板上，使其分布在LED模块周围并于LED芯片进行电连接。本发明通过对LED光源封装结构的优化设计，能够解决现有技术中LED封装结构散热效率不高，稳定性差的问题，并且能够改善LED芯片同热沉热膨胀系数不匹配的问题，具有稳定性高、存储寿命长、价格低廉等优点。

　　权利要求

　　一种高功率高亮度LED光源封装方法，包括：（1）对LED芯片进行接触式散热处理、对LED芯片进行降低热应力处理、对LED芯片进行绝缘处理三个处理环节后制成LED模块；（2）将LED模块焊接在散热板上；（3）将线路板焊接或粘结在散热板上，使其分布在LED模块周围并于LED芯片进行电连接。

　　11.一种传导制冷型高功率半导体激光器及其制备方法

　　申请号：201110453400.4申请日：20111220主分类号：H01S5/024[公开号]102570291A[公开日]2012年7月11日

　　本发明公开了一种传导冷却型高功率半导体激光器及其制备方法，以解决现有技术中传导冷却型高功率半导体激光器散热能力低、成品率低、可靠性低和长期寿命短等问题。该传导冷却型高功率半导体激光器包括散热器和一个或者多个半导体激光器单元；所述半导体激光器单元由芯片、与芯片焊接的起散热导电作用的衬底、以及与衬底焊接的起绝缘散热作用的绝缘片组成，半导体激光器单元通过绝缘片焊接在散热器上。本发明的半导体激光器单元可预先进行测试、老化、筛选，提高了激光器的成品率，大大节省了生产成本；本发明是将每个半导体激光器单元焊接在散热器上，其散热性好、可靠性高，适用于高温等复杂多变的环境中使用。

　　权利要求

　　一种传导冷却型高功率半导体激光器，包括散热器和一个或者多个半导体激光器单元；其特征在于：所述半导体激光器单元由芯片、与芯片焊接的起散热导电作用的衬底、以及与衬底焊接的起绝缘散热作用的绝缘片组成，半导体激光器单元通过绝缘片焊接在散热器上。